Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件
vishay siliconix n 沟道mosfet
超级结器件降低传导和开关损耗
提高通信、服务器和数据中心应用能效
vishay 推出最新第四代 600 v e 系列功率 mosfet 器件。vishay siliconix n 沟道 sihk045n60e 导通电阻比前一代 600 v e 系列 mosfet 低 27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降 60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平，该参数是 600 v mosfet 在功率转换应用中的关键指标(fom)。
vishay 丰富的 mosfet 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着 sihk045n60e 的推出以及即将发布的第四代 600 v e 系列产品，公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换 ac/dc 转换器拓扑结构。
sihk045n60e 采用 vishay 最新高能效e系列超级结技术，10 v 下典型导通电阻仅为 0.043 ω，超低栅极电荷下降到 65 nc。器件的 fom 为 2.8 ω*nc，比同类接近的 mosfet 竞品器件低 3.4 %。sihk045n60e 有效输出电容 co(er) 为117 pf，有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而达到节能效果。sihk045n60e 结壳热阻 rthjc 为 0.45 c/w，比接近的竞品器件低 11.8 %，具有更加出色的热性能。该器件采用 powerpak 10x12 封装，符合 rohs 标准，无卤素，可承受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值 100 % 通过 uis 测试。
sihk045n60e 现可提供样品并已实现量产，供货信息可与当地 vishay 销售代表联系或发送电子邮件至 hvm@vishay.com。
原文标题：fom 仅 2.8 ω*nc!第四代 600v e 系列 mosfet，传导损耗更低
文章出处：【微信公众号：vishay威世科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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vishay 丰富的 mosfet 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着 sihk045n60e 的推出以及即将发布的第四代 600 v e 系列产品，公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换 ac/dc 转换器拓扑结构。
sihk045n60e 采用 vishay 最新高能效e系列超级结技术，10 v 下典型导通电阻仅为 0.043 ω，超低栅极电荷下降到 65 nc。器件的 fom 为 2.8 ω*nc，比同类接近的 mosfet 竞品器件低 3.4 %。sihk045n60e 有效输出电容 co(er) 为117 pf，有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而达到节能效果。sihk045n60e 结壳热阻 rthjc 为 0.45 c/w，比接近的竞品器件低 11.8 %，具有更加出色的热性能。该器件采用 powerpak 10x12 封装，符合 rohs 标准，无卤素，可承受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值 100 % 通过 uis 测试。
sihk045n60e 现可提供样品并已实现量产，供货信息可与当地 vishay 销售代表联系或发送电子邮件至 hvm@vishay.com。
原文标题：fom 仅 2.8 ω*nc!第四代 600v e 系列 mosfet，传导损耗更低
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