3D非易失性存储领域飞速发展，中国厂商能否争得一席之地？
3d non-volatile memory
3d非易失性存储领域飞速发展，中国厂商能否争得一席之地？
巨头林立的新兴市场，专利竞争瞬息万变相继问世的3d nand闪存器件典型代表包括：2015年samsung electronics（三星电子）的3d v-nand-32l，以及随后2016年的sk hynix（sk海力士）3d nand v2-36l、toshiba/sandisk（东芝/闪迪）3d nand-48l以及micron/intel（美光/英特尔）3d nand-32l。
3d nvm主要厂商产品路线图近阶段，3d非易失性存储（nvm）领域动作频频，例如western digital（西部数据）收购了sandisk，中国政府在存储领域的大举投资，以及intel宣布micron/intel的合作将分道扬镳，以进一步发展3d nand。我们从产业专利申请印证了这些产业发展动态，中国厂商（ymtc/yrst）近阶段在该领域申请了大量与3d nvm相关的专利，并且，三星近几个月在中国、美国和韩国都公开了大量专利，反映其进一步加强自身在3d nvm领域专利地位的意图。此外，我们还注意到conversant ip和wilan等npe（非专利实施主体）机构正在积极进入该领域。这些npe机构的涉足，标志着该市场的繁荣，当它们有朝一日准备利用手中的专利赚钱时，将在未来挑起专利战。在本报告中，knowmade（yole旗下全资子公司）深入分析了与3d nvm相关的全球专利，详细介绍了当前该领域的专利现状以及潜在发展趋势。sandisk/western digital、samsung和toshiba在3d nvm领域的专利布局处于行业领先位置。这几家厂商一共掌握了该领域65%的专利，western digital与toshiba签订了直到2029年的jv联营扩展协议，而samsung和western digital则更新了一份到2024年的专利交叉许可协议。另一方面，我们还注意到中国厂商在3d nvm专利领域开始暂露头角。
3d nvm领域专利申请动态3d nvm领域的专利申请始于1990年代的toshiba和sandisk，双方在1999年关于闪存签订了联合投资协议。2000年代末期，3d存储架构研发相关的专利申请开始出现，主要包括bics（bit cost scalable，sandisk和toshiba）、tcat（terabit cell array transistor，samsung electronics）以及fg（floating gate，sk hynix）。不久之后，micron technology也开发出了fg架构，macronix international则在2015年开发出了sgvc（single gate vertical channel）架构。自2008年以来，3d nvm相关专利申请一直在持续增长，现在该领域的专利申请已达3400多个专利家族，共计超过9400件专利。该领域的专利现状非常复杂，包括了多家行业巨头，以及近年刚刚进入该领域的中国厂商。
核心专利申请人分析
本报告通过对顶级专利申请人的专利数量、专利引用网络、专利申请国家以及当前法律状态等指标，展示了它们专利地位的强弱。通过深入的专利分析，本报告提供了6家主要厂商的专利概览（sandisk/western digital、micron technology、sk hynix、toshiba、samsung和macronix international），具体包括对其专利动态、专利策略以及3d nand产品相关核心专利的详细分析。3d nvm专利领域包含多家大型厂商，新进厂商很难进入这块相对封闭的领域。不过，中国企业通过金融手段成功涉足，或将在未来改变3d nvm技术的进一步发展。值得注意的是，applied materials、tokyo electron和lam research等设备制造商，也申请了近20件3d nvm相关专利。
3d nvm领域的专利领导者（样刊模糊化）
核心技术分析
本报告研究的3400多个专利家族按照存储类型和主架构进行了分类。本报告揭示了专利申请人的专利策略和技术选择，并根据存储类型（flash、mram、reram、pcram）和架构（垂直、xpoint）重点分析了主要厂商的专利现状。有些厂商（如micron technology）主要专注于pcram一种存储类型，我们预计它们也在研发3d xpoint存储。其它厂商（如sandisk）则涉及多种类型的3d nvm存储。
按存储类型对专利进行分类（样刊模糊化）聚焦中国凭借中国政府在存储领域的巨额投资，ymtc/yrst在去年开发出了上一代3d nand 36l，试图追赶市场主要厂商的脚步。不过，我们需要搞清楚，中国厂商的知识产权来自哪里？本报告分析了中国存储领域相关的专利现状（包括2d、3d、dram、sram、flash、新兴存储），以了解中国厂商拥有的技术和专利发展趋势，它们包括xmc、yrst、tsinghua unigroup以及smic等。本报告还调研了市场主要厂商在中国的专利申请现状，包括samsung、sk hynix以及intel等。
专利数据库本报告还提供了一份excel专利数据库，包含了本研究所分析的9400多件专利。该数据库支持多字段检索，包括专利公开号、原始文件超链接、优先权日、专利名称、专利摘要、专利申请人、存储类型/架构以及当前法律状态等。
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3d nvm领域专利申请动态3d nvm领域的专利申请始于1990年代的toshiba和sandisk，双方在1999年关于闪存签订了联合投资协议。2000年代末期，3d存储架构研发相关的专利申请开始出现，主要包括bics（bit cost scalable，sandisk和toshiba）、tcat（terabit cell array transistor，samsung electronics）以及fg（floating gate，sk hynix）。不久之后，micron technology也开发出了fg架构，macronix international则在2015年开发出了sgvc（single gate vertical channel）架构。自2008年以来，3d nvm相关专利申请一直在持续增长，现在该领域的专利申请已达3400多个专利家族，共计超过9400件专利。该领域的专利现状非常复杂，包括了多家行业巨头，以及近年刚刚进入该领域的中国厂商。
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