JFET与MOSFET的特性曲线
本章主要内容为：
1.介绍两种主要类型场效应晶体管;
2.熟悉并了解jfet与mosfet的特性曲线;
3.学会基础题型的解法。
1场效应管
场效应晶体管主要分为结型场效应管(jfet)和金属-氧化物-半导体场效应管(mosfet)。从导电载流子的带电极性来看，分为n沟道(电子型)和p沟道(空穴型)，按照导电沟道形成机理的不同，又分为增强型(简称e型)和耗尽型(简称d型)两种。元件符号如下：
上图为结型场效应管(jfet)，(a)为n沟道jfet，(b)为p沟道jfet，大家记住箭头指向内部就为n型，向外为p沟道型。简单说一下，箭头的方向表示栅极pn结正偏时的电流方向，jfet只有耗尽型。
上图为耗尽型mosfet符号。
上图为增强型mosfet。
2转移特性曲线
结型场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线如下图:
转移特性表明了输出电流id 与输入电压vgs ，漏极电流的方向表示为从漏极流向源极，注意各值的符号与方向。
耗尽型n沟道mosfet的转移特性曲线和输出特性曲线如下图, 当 vgs = 0v, id = idss 当 vgs < 0v, id 0v, id <
idss:
增强型n沟道mos管的转移特性曲线如下图，为了形成n沟道必须保持vgs 为正。vt (or vgs(th) )称为开启电压 ，当 vgs 增加时,
id 增加：
增强型p沟道mos管的转移特性曲线如下图， 除了电压的极性与电流的方向相反外，p沟道增强型mos管与n沟道mos管是相同的：
在观察各类型fet转移特性曲线时，需要注意各个量的幅值与方向。
3重点公式
对于场效应管，我们首先记住下面公式：
对于所有场效应管:
对于结型和耗尽型mosfet：
对于增强型mosfet:
这里的k为电导常数，可通过数据手册查找，也有计算方法，可在下方视频观看哦。
场效应管fet与双极型晶体管bjt差别：
• 输入(vgs)输出(id)非线性
• fet是电压控制型器件 ，而bjt是电流控制型器件
• fet输入阻抗高
• fet温度稳定性好
在fet的考题中，主要也是通过直流分析和交流分析，交流分析通常运用小信号模型分析法来解题，方法依旧很简单，可以与上一堂课中bjt的分析作类比。文字里就不赘述啦。
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上图为结型场效应管(jfet)，(a)为n沟道jfet，(b)为p沟道jfet，大家记住箭头指向内部就为n型，向外为p沟道型。简单说一下，箭头的方向表示栅极pn结正偏时的电流方向，jfet只有耗尽型。
上图为耗尽型mosfet符号。
上图为增强型mosfet。
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转移特性表明了输出电流id 与输入电压vgs ，漏极电流的方向表示为从漏极流向源极，注意各值的符号与方向。
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idss:
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id 增加：
增强型p沟道mos管的转移特性曲线如下图， 除了电压的极性与电流的方向相反外，p沟道增强型mos管与n沟道mos管是相同的：
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• fet是电压控制型器件 ，而bjt是电流控制型器件
• fet输入阻抗高
• fet温度稳定性好
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