国芯思辰 |铁电存储器PB85RS2MC助力物联网领域RFID中的应用
作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器dram的高速度与可擦除存储器eeprom非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。
近年来随着物联网应用的普及，针对rfid的方案，铁电存储器低功耗、高速度和高性能特性与无线接入技术可以很好地结合在一起，本文推荐使用国产pb85rs2mc铁电存储器用于rfid方案中，该存储器的性能能够完美的替代mb85rs2mt（富士通）和fm25v20a（赛普拉斯），并且价格也有优势。
rfid传感器标签结构
传统rfid应用通常采用eeprom存储器，与之相比铁电存储器有诸多优势。例如pb85rs2mc超低功耗特性使得同样使用普通纽扣电池寿命可以延长2000倍，在写入数据时eeprom需要内部升高电压，所以写人速度非常慢，而pb85rs2mc在写和读方面的性能一样，同时速度比前者快六倍，能够实现整个存储区块的写入操作，更快地存储更多的数据，并且没有“预备时间”限制。
pb85rs2mc在rfid中的应用优势：
1、pb85rs2mc配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅cmos工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以保持数据。
2、pb85rs2mc具有读写速度快（最高100万次）、写入寿命长、写入耗能小等优点。
3、pb85rs2mc最低低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。
4、pb85rs2mc容量2m bit，提供spi接口，工作频率25兆赫兹，并支持40mhz高速读命令。
5、pb85rs2mc工作环境温度范围-40℃至85℃，封装为8引脚sop封装，符合rohs；性能兼容mb85rs2mt（富士通）和fm25v20a（赛普拉斯）。
另外铁电存储器和eeprom方案的读写距离不同，写入距离要比读取短很多，这就限制了一些需要写人数据的应用空间范围，而fram的读写距离都是一样，可以很好地解决这一问题。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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