东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线，用于便携终端充电开关
东芝于日前扩充了耐压（漏源间电压）为-12v的p通道mosfet的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的sot-1220（udfn6b）封装的“ssm6j505nu”，以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的sot-563（es6）封装的“ssm6j216fe”。新产品的特点是都支持大电流，sot-1220封装产品的最大漏电流为－12a，sot-563封装产品为－4.8a。据东芝介绍，此次推出新产品的背景是，“随着便携式电子产品的高功能化，电池容量不断增加，同时充电电流也趋于增大”。新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关和功率管理开关。
sot-1220封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5v时为9mω（标称值），在-2.5v时为11mω（标称值），在-1.2v时为18mω（标称值）。栅极电荷量为37.6nc（标称值）。输入容量为2700pf（标称值）。反馈电容为800pf（标称值）。输出容量为800pf（标称值）。
sot-563封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5v时为26.0mω（标称值），在-2.5v时为31.5mω（标称值），在-1.5v时为49.0mω（标称值）。栅极电荷量为12.7nc（标称值）。输入容量为1040pf（标称值）。反馈电容为180pf（标称值）。输出容量为200pf（标称值）。
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sot-1220封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5v时为9mω（标称值），在-2.5v时为11mω（标称值），在-1.2v时为18mω（标称值）。栅极电荷量为37.6nc（标称值）。输入容量为2700pf（标称值）。反馈电容为800pf（标称值）。输出容量为800pf（标称值）。
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