PSP Model的主要特征有哪些呢?

基于表面电势的compact model,除了hisim之外的另一个代表便是psp model.
众所周知,playstation portable(psp)是由索尼电脑娱乐开发的第七世代掌上游戏机,与任天堂开发的第七世代掌上游戏机任天堂ds竞争。psp有四个主要的model,psp-1000,psp-2000,psp-3000和psp-go。
psp model实际上是由两个模型合并而来,分别是来自pennsylvania state university开发的sp模型,和飞利浦半导体(现nxp)开发的mos model 11。之后学术界转为支持arizona state university了,后又转为支持delft university of technology,并延续至今。
  psp model的主要特征有    
• 基于物理的表面势模型,模型包括核心(intrinsic)和外围(extrinsic)模块
• 基于物理,并且准确地描述了反型区
• 包括了所有相关的小尺寸效应
• 对halo implant 建模,包括长沟道器件
• 迁移率模型考虑库仑散射和局域化效应
• 非奇异的速度饱和效应,可以对射频失真进行建模,包括互调效应(im3)
• 完整的gummel对称
• 中间点偏置线性化,可以对基于比例的电路进行精确建模(例如r2r电路)
• 量子修正
• 对多晶硅耗尽效应的修正
• gidl/gisl 模型
• 基于表面势的器件噪声建模,包括沟道热噪声,闪烁噪声和沟道引入的栅极噪声。
• 先进的结模型,包括缺陷辅助隧穿,btbt和雪崩击穿。
• 应力模型
psp模型中的漏极电流表达式如下
式中,μ是迁移率,ec是临界电场,∆ψ 是沿沟道的电势差。qeff 是反型层的有效电荷。通过∆ψ可以有效地模拟亚阈值特性。
迁移率的表达式为
迁移率模型同时考虑了有效电场(分母第二项)和库仑散射(分布第三项)的影响。
psp模型对于饱和速度的描述如下
对于速度饱和现象更精确地描述,使得对于长沟道器件的建模相有明显的改进(相比于bsim)
图:长沟道mos器件的建模
下图是对一个0.18微米的器件建模结果,
图:0.18微米nmos建模,psp与bsim4.
对于跨导的增长,bsim4模型相比于psp拟合的更接近实验数据,而到了速度饱和区,psp模型显示出更加准确的结果。
对于输出电导的建模如下图所示:
bsim在vds=0时的输入电导存在突变,这直接导致了输入电导的导数(gd2)存在不连续。而psp模型则是连续的,对于射频器件,二阶截断点(ip2),三阶截断点(ip3)的建模是非常重要的,其包含了对信号失真的描述,psp模型此时存在明显的优势。
psp模型对噪声的建模也可以达到满意的效果,特别是对热噪声的描述,不仅采用了修正后的klaassen—prins方法,还加入了感应栅极噪声成分[5]。
由于psp模型在各方面表现良好,2005年击败了hisim被cmc选为了第三个标准的模型[6](之后hisim-hv和hisim2也进入了cmc标准模型)。


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