宜普推出氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2012
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(egan fet)系列中的最新成员——epc2012。epc2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合rohs(有害物质限制)条例。
epc2012 fet是一款面积为1.6平方毫米的200vds器件，rds(on)最大值是100mω，栅极电压为5v。这种egan fet具有比第一代epc1012 egan器件明显更高的性能优势。epc2012的脉冲额定电流提高至15a(而epc1012只有12a)，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强，而且由于提高了qgd/qgs比率，epc2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。
与具有相同导通电阻的先进硅功率mosfet相比，epc2012体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于egan fet性能的应用包括高速dc/dc电源、负载点转换器、d类音频放大器、硬开关和高频电路。
“随着宜普氮化镓场效应晶体管系列产品的不断扩展，氮化镓场效应晶体管的性能标杆得以进一步提升。另外，这种新一代egan产品是业界首批不含铅及符合rohs要求的器件。”共同创始人兼首席执行官alex lidow表示。
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epc2012 fet是一款面积为1.6平方毫米的200vds器件，rds(on)最大值是100mω，栅极电压为5v。这种egan fet具有比第一代epc1012 egan器件明显更高的性能优势。epc2012的脉冲额定电流提高至15a(而epc1012只有12a)，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强，而且由于提高了qgd/qgs比率，epc2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。
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