ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间
中国，北京—analog devices， inc.（adi）日前推出了一款专门用于9 khz至13 ghz频段的吸收式单刀双掷（spdt）开关hmc1118lp3de，它具有48db的高隔离度，在8 ghz条件下运行时仅有0.6db的低插入损耗。 hmc1118lp3de是adi公司的新型rf和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的gaas（砷化镓）rf 开关相比具有重大明显优势。 这些优势包括：建立时间比gaas快100倍；提供强大的esd（静电放电）保护（达到2000v，而gaas仅为250v）；能够扩展开关的低频端，比gaas低1000倍，同时保持高线性度。
hmc1118lp3de还提供4w的业界领先rf功率处理能力，在热切换工作模式下达到0.5w。 它的热切换功率处理能力超出了具有相同rf带宽的竞争器件的两倍，这使工程师能够在他们的应用和系统中提高rf功率，而不会产生器件损坏的风险。 hmc1118lp3de专为高隔离度进行了优化，在最大13 ghz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性，同时保持最低9khz的高信号保真度。 这些特性组合在一起，使得该开关非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用，充当传统 gaas开关的更低成本替代产品。
hmc1118lp3de spdt开关的主要特性
非反射式50欧姆设计
正控制：0/+3.3 v
低插入损耗： 0.68db（8ghz时）
高隔离度： 50db（8ghz时）
9khz的低截止频率
7.5微秒的快速建立时间（对于0.05 db的最终rf输出电平）
业界领先的高功率处理能力：
35.5 dbm的通过路径
27 dbm端接路径和热切换应用
· 高线性度：
p1db： +37 dbm（典型值）
iip3： +61 dbm（典型值）
esd额定值： 2-kv hbm
定价和供货
关于adi公司
analog devices， inc.（简称adi）始终致力于设计与制造先进的半导体产品和优秀解决方案，凭借杰出的传感、测量和连接技术，搭建连接真实世界和数字世界的智能化桥梁，从而帮助客户重新认识周围的世界。
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