三星电子、SK海力士、美光三大巨头不约而同地要开始刻意控制产能了
据报道，2019年内存制造商试图通过减缓产能扩张的手段，来避免价格竞争并保持盈利能力。2019年，dram市场产量的总资本支出预计约为180亿美元，同比减少10%。
美光宣布将资本支出削减至30亿美元，产能增幅从20%下修到15%左右；sk海力士2019年的资本支出将减少至55亿美元；三星宣布终止其平泽工厂的产能扩张，三星半导体年产量增长率降至20％左右，创历史新低。
这两年，dram芯片和内存条价格经历了一波疯涨，如今已经慢慢回归理智，而在另一方面，nand闪存产能一直很充裕，ssd固态硬盘的价格也是持续走低，性价比越来越高。
但是这对于内存、闪存芯片厂商来说，并不是好消息，三星电子、sk海力士、美光三大巨头就不约而同地要开始刻意控制产能了。
美光ceo sanjay mehrotra在近日的季度财务电话会议上表示，当前dram内存芯片市场查能过剩、库存持续增加，导致价格下跌、拖累产业。
美光预计明年内存芯片产能增幅为15％，低于此前预期的20％，nand闪存芯片也只会增长35％，低于此前预计的35-40％。
为了解决供过于求的问题，美光计划将明年全年的资本支出下调12.5亿美元降至95亿美元，以减少dram内存、nand闪存芯片产能。
不过产能调整需要时间，美光预计可能要明年下半年才会恢复供需平衡。
同时，三星、sk海力士也有类似的减产计划，三星更是会增加晶圆代工市场份额，以弥补芯片降价带来的损失。
市调机构ic insights预计，明年半导体行业的整体资本支出可能会比今年减少12％，其中三星、intel、sk海力士、台积电、美光三巨头合计减少14％，其他减少约7％。
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