什么是FET？FinFET将半导体制程带入新境界
什么是fet？fet 的全名是“场效电晶体（field effect transistor，fet）”，先从大家较耳熟能详的“mos”来说明。mos 的全名是“金属－氧化物－半导体场效电晶体（metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet）”，构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做“源极（source）”，右边灰色的区域（矽）叫做“汲极 （drain）”，中间有块金属（绿色）突出来叫做“闸极（gate）”，闸极下方有一层厚度很薄的氧化物（黄色），因为中间由上而下依序为金属 （metal）、氧化物（oxide）、半导体（semiconductor），因此称为“mos”。
mosfet的工作原理与用途mosfet 的工作原理很简单，电子由左边的源极流入，经过闸极下方的电子通道，由右边的汲极流出，中间的闸极则可以决定是否让电子由下方通过，有点像是水龙头的开关 一样，因此称为“闸”；电子是由源极流入，也就是电子的来源，因此称为“源”；电子是由汲极流出，看看说文解字里的介绍：汲者，引水于井也，也就是由这里 取出电子，因此称为“汲”。
当闸极不加电压，电子无法导通，代表这个位是 0；当闸极加正电压，电子可以导通，代表这个位是 1。
mosfet 是目前半导体产业最常使用的一种场效电晶体（fet），科学家将它制作在矽晶圆上，是数码讯号的最小单位，一个 mosfet 代表一个 0 或一个 1，就是电脑里的一个“位（bit）”。电脑是以 0 与 1 两种数码讯号来运算；我们可以想像在矽芯片上有数十亿个 mosfet，就代表数十亿个 0 与 1，再用金属导线将这数十亿个 mosfet 的源极、汲极、闸极链接起来，电子讯号在这数十亿个 0 与 1 之间流通就可以交互运算，最后得到使用者想要的加、减、乘、除运算结果，这就是电脑的基本工作原理。晶圆厂像台积电、联电，就是在矽晶圆上制作数十亿个 mosfet 的工厂。
闸极长度：半导体制程进步的关键在 mosfet 中，“闸极长度（gate length）”大约 10 纳米，是所有构造中最细小也最难制作的，因此我们常常以闸极长度来代表半导体制程的进步程度，这就是所谓的“制程线宽”。闸极长度会随制程技术的进步而变 小，从早期的 0.18 微米、0.13 微米，进步到 90 纳米、65 纳米、45 纳米、22 纳米，到目前最新制程 10 纳米。当闸极长度愈小，则整个 mosfet 就愈小，而同样含有数十亿个 mosfet 的芯片就愈小，封装以后的集成电路就愈小，最后做出来的手机就愈小啰！。10 纳米到底有多小呢？细菌大约 1 微米，病毒大约 100 纳米，换句话说，人类现在的制程技术可以制作出只有病毒 1/10（10 纳米）的结构，厉害吧！
注：制程线宽其实就是闸极长度，只是图一看起来 10 纳米的闸极长度反而比较短，因此有人习惯把它叫做“线宽”。
finfet 将半导体制程带入新境界mosfet 的结构自发明以来，到现在已使用超过 40 年，当闸极长度缩小到 20 纳米以下的时候，遇到了许多问题，其中最麻烦的是当闸极长度愈小，源极和汲极的距离就愈近，闸极下方的氧化物也愈薄，电子有可能偷偷溜过去产生“漏电 （leakage）”；另外一个更麻烦的问题，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度愈小，则闸极与通道之间的接触面积（图一 红色虚线区域）愈小，也就是闸极对通道的影响力愈小，要如何才能保持闸极对通道的影响力（接触面积）呢？
因此美国加州大学伯克莱分校胡正明、tsu-jae king-liu、jeffrey bokor 等三位教授发明了“鳍式场效电晶体（fin field effect transistor，finfet）”，把原本 2d 构造的 mosfet 改为 3d 的 finfet，因为构造很像鱼鳍，因此称为“鳍式（fin）”。
由图中可以看出原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构，让源极和汲极之间的通道变成板状，则闸极与通道之间的接触面积变大了，这样一来即使闸极长度缩小到 20 纳米以下，仍然保留很大的接触面积，可以控制电子是否能由源极流到汲极，因此可以更妥善的控制电流，同时降低漏电和动态功率耗损，所谓动态功率耗损就是这 个 finfet 由状态 0 变 1 或由 1 变 0 时所消耗的电能，降低漏电和动态功率耗损就是可以更省电的意思啰！
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注：制程线宽其实就是闸极长度，只是图一看起来 10 纳米的闸极长度反而比较短，因此有人习惯把它叫做“线宽”。
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