通过屏蔽栅极和电荷平衡高电压技术设计的效率90%+开关电源
节约家庭使用能源有助于保护环境，对电费支出也有很大的影响。冰箱一周7天，一天24小时上电，因此有高效的开关电源至关重要。特别是，轻负载效率是冰箱开关电源的一个大问题，因为冰箱门大多数时候是保持关闭的。为了减少浪费的能源，高端冰箱的行业要求是：在7.7%到23.2%负载时，开关电源的效率应高于90%。同时在其他电源负载时，也尽可能需要更高的效率。新的功率半导体技术有助于提高效率。本文介绍高端冰箱电源的全面解决方案。通过结合一流的屏蔽栅极trenchpowermosfet技术和电荷平衡高电压mosfet技术，已设计出轻负载时效率超过90%的开关电源。
额定功率、拓扑和目标设备 高端冰箱的典型额定功率大约为50w，最大功率可达65w。在此功率范围内，反激拓扑是同时考虑性能和成本的最佳选择。此外，重负载条件下时同步整流器对于实现高效率是必需的。对于主要电源开关，选择超级结mosfet可提高效率。图1显示初始设计的功率损耗。
图1效率曲线
在初始设计中，将100v8.5mohm屏蔽栅极trenchpowermosfet应用于次级同步整流器，将600v190mohm超级结mosfet用于主开关。但是，7.7%负载时的效率仍低于90%。整个系统中的功率损耗在此负载条件下仅为454mw。这意味着应降低每个小功率损耗以符合要求。
图2功率损耗详情
图2显示初始设计的功率损耗明细。它表明开关损耗在轻负载时占主要部分，而导通损耗几乎可忽略。即使在满载条件下，开关损耗也在总损耗中占据极大一部分。基于此损耗分析，评估了380mohmmosfet，其寄生电容小得多。同步整流器mosfet也替换为15mohmmosfet。图3显示设备更换后的效率曲线。7.7%负载时的效率为89.93%。也可选择使用更高的导通电阻器件，但会在重负载范围时造成效率下降。55w负载时已降低0.8%。因此，更高导通电阻用于主开关不可行。此时可求助于新技术mosfet。
图3效率曲线
最新mosfet技术 克服硅限制的其中一个努力是在高电压功率mosfet中采用超极结技术。此技术可同时显著降低导通电阻和寄生电容，而其通常存在权衡取舍。由于寄生电容较小，这些超级结mosfet具有极快的开关特性，从而可以减少开关损耗。在50w等小额定功率中，输出电容中的存储电能是较高效率级别的极重要参数。superfet®ii技术将输出电容中的存储电能降低了超过25%，（与上一代superfet®技术相比，如图所示），达到600v。
图4输出电容中的存储电能，额定阻抗为190mohm的器件
在50w功率范围，mosfet中的负载电流极小，这种极低的电流水平导致关断时输出电容的充电时间很长。在这种情况下，mosfet结点的开关损耗最小，由于输出电容放电，大部分开关损耗发生在硬开关导通时。图5显示小负载电流时的关断示例。即使栅极电压(ch1)已为零，漏极电流(ch3)仍在流动。此电流实际上正在对输出电容充电。因此，输出电容中较少的存储电能此时是关键因素，superfet®ii技术应在给定系统中具有更小的开关损耗。
图51a负载电流时的关断波形
90+效率 在高端冰箱的开关电源中，主要目标是在7.7%到23.2%负载下实现90%或更高的效率。传统超极结技术设备不容易实现此目标。而superfet®ii技术可解决此问题。将fcp380n60应用于主开关时，7.7%负载时的效率变为90.53%，如图3所示，这得益于输出电容中较少的存储电能和卓越的开关性能。在重负载条件下，与传统190mohm超极结mosfet的效率差距与传统380mohm超极结mosfet相比还要小得多。
结论 新的superfet®ii技术mosfet、屏蔽栅极沟道mosfet和同步整流器控制器包含高效率开关电源的完整解决方案，适用于高端冰箱。它在多数负载范围内可实现超过90%的效率。
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图1效率曲线
在初始设计中，将100v8.5mohm屏蔽栅极trenchpowermosfet应用于次级同步整流器，将600v190mohm超级结mosfet用于主开关。但是，7.7%负载时的效率仍低于90%。整个系统中的功率损耗在此负载条件下仅为454mw。这意味着应降低每个小功率损耗以符合要求。
图2功率损耗详情
图2显示初始设计的功率损耗明细。它表明开关损耗在轻负载时占主要部分，而导通损耗几乎可忽略。即使在满载条件下，开关损耗也在总损耗中占据极大一部分。基于此损耗分析，评估了380mohmmosfet，其寄生电容小得多。同步整流器mosfet也替换为15mohmmosfet。图3显示设备更换后的效率曲线。7.7%负载时的效率为89.93%。也可选择使用更高的导通电阻器件，但会在重负载范围时造成效率下降。55w负载时已降低0.8%。因此，更高导通电阻用于主开关不可行。此时可求助于新技术mosfet。
图3效率曲线
最新mosfet技术 克服硅限制的其中一个努力是在高电压功率mosfet中采用超极结技术。此技术可同时显著降低导通电阻和寄生电容，而其通常存在权衡取舍。由于寄生电容较小，这些超级结mosfet具有极快的开关特性，从而可以减少开关损耗。在50w等小额定功率中，输出电容中的存储电能是较高效率级别的极重要参数。superfet®ii技术将输出电容中的存储电能降低了超过25%，（与上一代superfet®技术相比，如图所示），达到600v。
图4输出电容中的存储电能，额定阻抗为190mohm的器件
在50w功率范围，mosfet中的负载电流极小，这种极低的电流水平导致关断时输出电容的充电时间很长。在这种情况下，mosfet结点的开关损耗最小，由于输出电容放电，大部分开关损耗发生在硬开关导通时。图5显示小负载电流时的关断示例。即使栅极电压(ch1)已为零，漏极电流(ch3)仍在流动。此电流实际上正在对输出电容充电。因此，输出电容中较少的存储电能此时是关键因素，superfet®ii技术应在给定系统中具有更小的开关损耗。
图51a负载电流时的关断波形
90+效率 在高端冰箱的开关电源中，主要目标是在7.7%到23.2%负载下实现90%或更高的效率。传统超极结技术设备不容易实现此目标。而superfet®ii技术可解决此问题。将fcp380n60应用于主开关时，7.7%负载时的效率变为90.53%，如图3所示，这得益于输出电容中较少的存储电能和卓越的开关性能。在重负载条件下，与传统190mohm超极结mosfet的效率差距与传统380mohm超极结mosfet相比还要小得多。
结论 新的superfet®ii技术mosfet、屏蔽栅极沟道mosfet和同步整流器控制器包含高效率开关电源的完整解决方案，适用于高端冰箱。它在多数负载范围内可实现超过90%的效率。
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