id7u603是一款基于p衬底、p外延的高压、高速功率mosfet和igbt半桥驱动芯片,可兼容代换ir2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率mosfet或igbt驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。
ir2104替代芯片id7u603sec-r1特点
■ 浮动工作电压可达600v
■ 拉灌电流典型值210ma/360ma
■ 兼容3.3v/5v的输入逻辑电平
■ dv/dt抗干扰能力±50 v/nsec
■ 芯片工作电压范围10v~20v
■ vcc和vbs具有欠压保护功能
■ 防直通逻辑保护,死区时间典型值520ns
■ 所有通道延时匹配功能
ir2104国产替代芯片id7u603sec-r1可用于驱动2个n型功率mosfet和igbt构成的半桥拓扑结构,id7u603sec-r1是一块驱动芯片只能用于控制h桥一侧的2个mos管,因此采用半桥驱动芯片时,需要两块该芯片才能控制一个完整的h桥。
ir2104替代芯片id7u603sec-r1 600v高压半桥栅极驱动浮动工作电压可达600v,10-20v 宽范围工作电压范围,输入兼容 3.3v、5v 逻辑工作电平,拉灌电流典型值210ma/360ma,具有防直通保护及欠压保护功能,可兼容代换ir2104,典型应用于高压风机和泵、步进马达等领域,更多国产替料id7u603规格书、电路图等资料请向骊微电子申请。>>
中国电信联合华为成功验证了SRv6具备商用能力
浅析单车智能和单车智能下的自动驾驶
总是学不会FPGA的功耗是怎么回事?这篇文章告诉你
亚太天能科技F5指纹锁简介
工信部发布了关于拟撤销《免征车辆购置税的新能源汽车车型目录》名单的公示
ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案
小米移动软件有限公司授予的“智能眼镜和眼镜袋”专利
光学设计自动概述
线束连接器端子退针的3个主要原因是什么?
ST爱立信4G LTE芯片可减少50%的电量消耗
基于雷达的杂波速度谱图的建立方法
谷歌与沃尔沃和奥迪达成协议,将在2020年开始推出新车载安卓系统
关于物联网与嵌入式系统的介绍和分析
海外大学生研发AI模型,可快速生成中国山水画
5G技术赋能汽车自动驾驶技术,带来不一样的体验感
网络总体规划设计
湖南先进传感与信息技术创新研究院:在微纳近红外探测器领域取得重要研究进展
中国经济“高质量”发展 上达电子“高效率”运营
ds18b20系统结构框图和接线
专注边缘AI的耐能智能获得新一轮投资