用C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法
用c语言编程操作spmc75系列单片机内部flash的方法
spmc75系列单片机的内部程序存储器采用flash，其中有一部分flash在程序自由运行模式下可以由程序擦除、写入，本文主要介绍采用c语言编程操作spmc75系列单片机内部flash的方法。
关键词：spmc75
1引言
支持c语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求，当然spmc75系列单片机也不例外。μ'nsptm 指令结构的设计就着重考虑对c语言的支持，gcc就是一种针对μ'nsptm 操作平台的ansi－c编译器。但是在应用中对于程序的设计，特别是c和asm混合使用的时候有些地方是需要注意的，在c中如何嵌入asm也是一个不可回避的问题。
2spmc75单片机flash硬件资源分析
spmc75系列微控制器flash分为两区：信息区和通用区，在同一时间只能访问其中的一区。信息区包含64个字，寻址空间为0x8000 ～ 0x803f。地址0x8000为系统选项寄存器p_system_option。其他地址空间可由用户自定义重要信息比如：版本控制、日期、版权、项目名称等等。信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。
32k字的内嵌flash(embedded flash)被划分为16个页，每页2k字，每页可分为8块，这样32k的flash就可以分成128个块。只有位于00f000 ～00f7ff区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写，其他页均为只读。spmc75系列微控制器的32k字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。
图2-1信息区结构 图2-2页和帧结构
2.1 flash操作
◆ flash相关寄存器
flash有两个控制寄存器：p_flash_rw ($704d)和p_flash_cmd ($7555).。
p_flash_rw ($704d)是flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个cpu时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
表 2-1 flash寄存器和系统寄存器
地址
寄存器
名称
704dh
p_flash_rw
内嵌 flash 的访问控制寄存器
7555h
p_flash_cmd
内嵌 flash 的控制寄存器
p_flash_rw ($704d)：内嵌的flash访问控制寄存器
p_flash_rw ($704d)是flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入：首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个cpu时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
b15
b14
b13
b12
b11
b10
b9
b8
r
r/w
r
r
r
r
r
r
1
0
1
1
1
1
1
1
保留
bk14wenb
bk13wenb
bk12wenb
bk11wenb
bk10wenb
bk9wenb
bk8wenb
b7
b6
b5
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b1
b0
r
r
r
r
r
r
r
r
1
1
1
1
1
1
1
1
bk7wenb
bk6wenb
bk5wenb
bk4wenb
bk3wenb
bk2wenb
bk1wenb
bk0wenb
用控制寄存器将页设置内嵌flash为只读或可读可写模式。
\
类型 ( 默认 )
页
块
描述
b[15]
保留
b[14]
r/w (0)
bank 14
frame 112~119
f000h-f7ffh 访问控制
1= 只读
0= 读 / 写
b[13:0]
保留
p_flash_cmd ($7555)：内嵌的flash访问控制寄存器
用于处理flash的指令，见表2-3
b15
b14
b13
b12
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b10
b9
b8
w
w
w
w
w
w
w
w
0
0
0
0
0
0
0
0
flashctrl
b7
b6
b5
b4
b3
b2
b1
b0
w
w
w
w
w
w
w
w
0
0
0
0
0
0
0
0
flashctrl
表 2-2 指令功能和操作流程
块擦除
单字写模式
连续多字写模式
第一步
p_flash_cmd = 0xaaaa
第二步
[ p_flash_cmd ] = 0x5511
[ p_flash_cmd ] = 0x5533
[ p_flash_cmd ] = 0x5544
第三步
设置擦除地址
写数据
写数据
第四步
自动等待 20ms 后结束
自动等待 40us 后结束
自动等待 40us
未写完则转向第二步
[ p_flash_cmd ]= 0xffff à 操作结束令
2.2 flash操作使用举例
◆flash块擦除操作
//擦除flash的第14页的第0块
p_flash_cmd->w = 0xaaaa; //写控制命令
p_flash_cmd->w = 0x5511; //写入块擦除命令
//要檫除的块任一地址写入任意数据,则擦除此块
p_wordadr = (unsigned int *)0xf000;
*p_wordadr = 0x5555;
◆ flash单字写操作
//擦除flash的第14页的第0块
//写控制命令
p_flash_cmd->w = 0xaaaa;
//写入块擦除命令
p_flash_cmd->w = 0x5511;
//0xf000单元写入数据0x5555
p_wordadr = (unsigned int *)0xf000;
*p_wordadr = 0x5555;
flash的特点是编程数据写入时只能将1变成0，不能从0变成1。因此，用户在对flash编程之前，必须首先执行flash块擦除或者页擦除命令，这样就可以将数据从0擦除为1。
◆ flash连续写操作
采用连续编程模式向flash的0xf000 到 0xf060地址空间连续写入数据。
// 写数据到 0xf001～0xf060的连续单元中，设这段空间已经擦//除过。
p_wordadr = (unsigned int *)0xf001;
uidata = 11;
p_flash_cmd->w = 0xaaaa; //写控制命令
for(i = 1;i w = 0x5544; //写入连续数据写命令
*p_wordadr = uidata; //写入数据
uidata ++;
p_wordadr ++;
}
p_flash_cmd->w = 0xffff; //结束数据写入操作
环路增益T在运算放大器中的作用和对电路稳定性影响的研究
为什么巨人网络要停牌重组？
冷焊机的优点和缺点
揭秘全球首例自动驾驶汽车致死案例，谁将对这起事故承担法律责任？
如何在arduino之间克隆和准备发送信号
用C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法
从负200万到年营收10亿
携手深耕城市数字化，华为政务一网通军团与拓维信息等同舟共济伙伴签约
松下研发出一种可在黑暗中拍摄250米远10厘米物体图像的深度图像传感器
算法资源波动比肩过山车？
VCA610典型超声波应用电路
C语言技巧之回调函数
新型医疗连接技术协助改进中国透析治疗
联发科手机芯片缺货 荐OPPO转单高通
芯华章宣布谢仲辉出任首席市场战略官，推动重大创新与生态建设
用Chiplet解决ASIC在LLM上的成本问题
LPWAN未来的前景几何？是否值得持续投入？
高低温试验箱选型考虑因素
nRF24L01的干扰问题分析
Leica激光跟踪仪如何提工业大型零部件质量和效率
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关键词：spmc75
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支持c语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求，当然spmc75系列单片机也不例外。μ'nsptm 指令结构的设计就着重考虑对c语言的支持，gcc就是一种针对μ'nsptm 操作平台的ansi－c编译器。但是在应用中对于程序的设计，特别是c和asm混合使用的时候有些地方是需要注意的，在c中如何嵌入asm也是一个不可回避的问题。
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32k字的内嵌flash(embedded flash)被划分为16个页，每页2k字，每页可分为8块，这样32k的flash就可以分成128个块。只有位于00f000 ～00f7ff区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写，其他页均为只读。spmc75系列微控制器的32k字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。
图2-1信息区结构 图2-2页和帧结构
2.1 flash操作
◆ flash相关寄存器
flash有两个控制寄存器：p_flash_rw ($704d)和p_flash_cmd ($7555).。
p_flash_rw ($704d)是flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个cpu时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
表 2-1 flash寄存器和系统寄存器
地址
寄存器
名称
704dh
p_flash_rw
内嵌 flash 的访问控制寄存器
7555h
p_flash_cmd
内嵌 flash 的控制寄存器
p_flash_rw ($704d)：内嵌的flash访问控制寄存器
p_flash_rw ($704d)是flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入：首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个cpu时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
b15
b14
b13
b12
b11
b10
b9
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r
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r
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0
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保留
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bk13wenb
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bk1wenb
bk0wenb
用控制寄存器将页设置内嵌flash为只读或可读可写模式。
\
类型 ( 默认 )
页
块
描述
b[15]
保留
b[14]
r/w (0)
bank 14
frame 112~119
f000h-f7ffh 访问控制
1= 只读
0= 读 / 写
b[13:0]
保留
p_flash_cmd ($7555)：内嵌的flash访问控制寄存器
用于处理flash的指令，见表2-3
b15
b14
b13
b12
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b10
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w
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flashctrl
b7
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b0
w
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w
w
w
w
0
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0
0
flashctrl
表 2-2 指令功能和操作流程
块擦除
单字写模式
连续多字写模式
第一步
p_flash_cmd = 0xaaaa
第二步
[ p_flash_cmd ] = 0x5511
[ p_flash_cmd ] = 0x5533
[ p_flash_cmd ] = 0x5544
第三步
设置擦除地址
写数据
写数据
第四步
自动等待 20ms 后结束
自动等待 40us 后结束
自动等待 40us
未写完则转向第二步
[ p_flash_cmd ]= 0xffff à 操作结束令
2.2 flash操作使用举例
◆flash块擦除操作
//擦除flash的第14页的第0块
p_flash_cmd->w = 0xaaaa; //写控制命令
p_flash_cmd->w = 0x5511; //写入块擦除命令
//要檫除的块任一地址写入任意数据,则擦除此块
p_wordadr = (unsigned int *)0xf000;
*p_wordadr = 0x5555;
◆ flash单字写操作
//擦除flash的第14页的第0块
//写控制命令
p_flash_cmd->w = 0xaaaa;
//写入块擦除命令
p_flash_cmd->w = 0x5511;
//0xf000单元写入数据0x5555
p_wordadr = (unsigned int *)0xf000;
*p_wordadr = 0x5555;
flash的特点是编程数据写入时只能将1变成0，不能从0变成1。因此，用户在对flash编程之前，必须首先执行flash块擦除或者页擦除命令，这样就可以将数据从0擦除为1。
◆ flash连续写操作
采用连续编程模式向flash的0xf000 到 0xf060地址空间连续写入数据。
// 写数据到 0xf001～0xf060的连续单元中，设这段空间已经擦//除过。
p_wordadr = (unsigned int *)0xf001;
uidata = 11;
p_flash_cmd->w = 0xaaaa; //写控制命令
for(i = 1;i w = 0x5544; //写入连续数据写命令
*p_wordadr = uidata; //写入数据
uidata ++;
p_wordadr ++;
}
p_flash_cmd->w = 0xffff; //结束数据写入操作
环路增益T在运算放大器中的作用和对电路稳定性影响的研究
为什么巨人网络要停牌重组？
冷焊机的优点和缺点
揭秘全球首例自动驾驶汽车致死案例，谁将对这起事故承担法律责任？
如何在arduino之间克隆和准备发送信号
用C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法
从负200万到年营收10亿
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松下研发出一种可在黑暗中拍摄250米远10厘米物体图像的深度图像传感器
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VCA610典型超声波应用电路
C语言技巧之回调函数
新型医疗连接技术协助改进中国透析治疗
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芯华章宣布谢仲辉出任首席市场战略官，推动重大创新与生态建设
用Chiplet解决ASIC在LLM上的成本问题
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高低温试验箱选型考虑因素
nRF24L01的干扰问题分析
Leica激光跟踪仪如何提工业大型零部件质量和效率