基于屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗
监管机构与终端客户对dc/dc电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗，同时不能影响非钳位电感性开关(uis)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极mosfet可为30～200v范围的dc/dc电源设计人员提供相关解决方案。现在，通过提高开关性能，导通阻抗rds(on)已能降低50%及以上，从而提高效率，为更高频率工作创造条件。
电源设计挑战
dc/dc设计人员一直面临着提高效率和功率密度的挑战。而功率mosfet技术的不断进步帮助他们得以实现这一目标。导通阻抗rds(on)和栅极电荷qg中，一般总是一个减小则另一个增大，故功率mosfet设计人员必须考虑到二者之间的权衡。一种新的沟槽mosfet工艺可以做到减小rds(on)，却不影响qg。这种技术就是屏蔽栅极技术。它能够减小中压mosfet中导通阻抗的关键分量——与漏源击穿电压(bvdss)有关的外延阻抗(epi resistance)。如图1所示，这种技术特别适用于大于100v的应用领域。
图1 传统沟槽技术中rds(on)的各个分量
图1所示为额定30v与100v的传统沟槽mosfet的rds(on)分量的比较。对于100v的器件，rds(on)中外延分量百分比要大得多。而利用屏蔽栅极这样的电荷平衡技术，外延阻抗可降低一半以上，同时不会增加总的qg或qgd分量。
电荷平衡技术
图2对传统器件与屏蔽栅极沟槽器件的横截面进行了比较。后者通过整合一个屏蔽电极来实现电荷平衡，支持该电压区域的阻抗和长度都被减小，从而大幅降低rds(on)。
图2 (a)传统器件
(b)屏蔽栅极电荷平衡沟槽结构
此外，屏蔽电极位于栅极电极之下，后者把传统沟槽mosfet底部的大部分栅漏极电容(cgd或crss)都转换为栅源极电容(cgs)。于是，屏蔽电极就把栅极电极与漏极电势隔离开来。
图3比较了具有相等rds(on)的传统mosfet与屏蔽栅极沟槽mosfet的电容分量。由于crss减小，从关断切换到导通状态，或从导通切换到关断状态所需的时间缩短，开关损耗因此被降至最低。特别地，如图4所示，减小qgd，可把器件同时加载高压和大电流的时间缩至最短，从而减小开关能耗。
图3 在20a rds(on) 5.7mω的相同条件下，传统器件与屏蔽栅极沟槽器件的电容分量的比较
图4 在20a rds(on) 5.7mω的相同条件下，传统沟槽器件和屏蔽栅极沟槽器件在20a/50v时的qg曲线的比较
另外，屏蔽层及其阻抗相当于一个内建缓冲电阻(snubbing resistance，(rshield))－电容(cdshield)网络，如图3中的coss分量所描述。这个缓冲网络可减慢开关从低压向高压的转换速度。屏蔽栅极的这一特性有助于减少开关转换期间的emi、dv/dt引起的误导通和雪崩效应。
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在输入电压48v、输出3.3v、工作频率400khz、电流范围10～20a的隔离dc/dc转换器初级端中，对飞兆半导体fdms86252 150v屏蔽栅极mosfet与同类产品进行比较。结果如图5所示。从图中可看到，由于采用了屏蔽栅极技术，fdms86252的效率最少可提高0.4%，这就意味着至少0.32w的功率节省，看似微不足道，但对dc/dc设计来说却至关重要，因为要满足相关规范要求，每一个百分点的效率提高都非常珍贵。
图5 在一个48vvin，3.3vvout，400khz工作频率的隔离dc/dc转换器中，飞兆半导体fdms86252 150v屏蔽栅极mosfet与同类产品的比较
总结
相比前几代技术，飞兆半导体新推出的powertrench mosfet技术具有更好的rds(on)和qg。这种技术让电源设计人员能够把效率和功率密度提高到一个新的水平。
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图2 (a)传统器件
(b)屏蔽栅极电荷平衡沟槽结构
此外，屏蔽电极位于栅极电极之下，后者把传统沟槽mosfet底部的大部分栅漏极电容(cgd或crss)都转换为栅源极电容(cgs)。于是，屏蔽电极就把栅极电极与漏极电势隔离开来。
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图3 在20a rds(on) 5.7mω的相同条件下，传统器件与屏蔽栅极沟槽器件的电容分量的比较
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另外，屏蔽层及其阻抗相当于一个内建缓冲电阻(snubbing resistance，(rshield))－电容(cdshield)网络，如图3中的coss分量所描述。这个缓冲网络可减慢开关从低压向高压的转换速度。屏蔽栅极的这一特性有助于减少开关转换期间的emi、dv/dt引起的误导通和雪崩效应。
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