东芝存储器最新发布XL-Flash技术
（文章来源：中关村在线）
据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（storage class memory）解决方案：xl-flash，该技术是基于创新的bics flash 3d nand技术和slc，xl-flash将为数据中心和企业存储带来了低延迟和高性能的解决方案，样品预计将于下月送样检测，或将于2020年量产。
据东芝存储器表示，这项技术与英特尔3d xpoint和三星z-nand一样，xl-flash属于持久性存储器，不仅具有nand flash容量存储的能力，同时性能介于dram和nand之间。虽然能像dram易失性存储解决方案提供应用程序要求苛刻的访问速度，但达到这种性能的的成本很高。dram单位成本限制了其容量的扩展性，新的scm持久性存储器解决了密度、成本、性能等问题。
它是介于dram和nand闪存之间的产品，与传统的dram相比，具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。xl-flash最初将以ssd产品为部署，但未来也将扩展到dram产品线上。
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