Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能
宾夕法尼亚、malvern — 2015 年 10 月12 日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出采用小尺寸powerpak® 8x8封装的600v e系列功率mosfet---sihh26n60e、sihh21n60e、sihh14n60e和sihh11n60e。新的vishay siliconix sihh26n60e、sihh21n60e、sihh14n60e和sihh11n60e有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的kelvin连接。超薄表面贴装powerpak 8x8封装符合rohs，无卤素，完全无铅，可替换传统的to-220和to-263封装的产品，达到节省空间的效果。
powerpak® 8x8的结构定义一个源极pin脚为专用的kelvin源极连接脚，把栅极驱动的返回路径从主要承载电流的源极端子上分开。这样就能防止在大电流路径上出现l x di / dt电压降，避免施加到e系列mosfet上的栅极驱动电压出现跌落，从而在通信、服务器、计算机、照明和工业应用的电源实现更快的开关速度和更好的耐噪声性能。
sihh26n60e、sihh21n60e、sihh14n60e和sihh11n60e采用vishay最新的高能效e系列超级结技术制造，在10v电压下导通电阻低至0.135ω，栅极电荷低至31nc。以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是功率转换应用里mosfet的优值系数（fom）。这些数值意味着极低的传导和开关损耗，在功率因数校正、反激式转换器，服务器和通信电源的双开关正激转换器，hid和荧光镇流器照明，消费和计算设备电源适配器，电机驱动、太阳能电池逆变器，以及感应加热和焊接设备中可以实现节能。
这些mosfet可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲，保证极限值100%通过uis测试。
器件规格表：
sihh26n60e、sihh21n60e、sihh14n60e和sihh11n60e现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十六周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。
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sihh26n60e、sihh21n60e、sihh14n60e和sihh11n60e采用vishay最新的高能效e系列超级结技术制造，在10v电压下导通电阻低至0.135ω，栅极电荷低至31nc。以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是功率转换应用里mosfet的优值系数（fom）。这些数值意味着极低的传导和开关损耗，在功率因数校正、反激式转换器，服务器和通信电源的双开关正激转换器，hid和荧光镇流器照明，消费和计算设备电源适配器，电机驱动、太阳能电池逆变器，以及感应加热和焊接设备中可以实现节能。
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