为MRAM工艺打造的量测方案
在不久的将来，我们将看到嵌入式stt-mram (emram)出现在诸如物联网(iot)、微控制器(mcu)、汽车、边缘运算和人工智能(ai)等应用中。美国everspin还提供了几种独立的mram产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、iot、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。
半导体工艺控制和支持技术供货商kla对mram作为一种新兴的nvm技术的前景感到振奋，为ic制造商提供了一系列解决方案的组合，可帮助加速mram产品开发，确保成功实现量产并在生产中取得最佳良率。这些技术解决方案包括：
使用散射测量和成像的迭对量测系统进行图案对准(patterning alignment)量测，使用光学散射测量cd和形状计量系统进行关键尺寸和3d组件形状测量以及run time patterning control数分析，以优化mram cell patterning 组件迭对、cd和形状。
使用光谱椭圆偏振(se)技术进行膜厚度和化学计量的测量，这些技术为mtj迭层沉积提供了重要的关键参数。
mram堆栈沉积的电磁特性，可使用capres电流平面穿隧(ciptech)和microsense磁光kerr效应，提供对预计的最终电池性能的早期反馈(moke)技术。capresciptech是一种12点探针电阻技术，可在产品晶圆图案化之前，针对mtj迭层进行沉积、退火和磁化后的tmr和ra测量。microsense polar kerr mram (pkmram)则表征了磁性能，例如自由层和固定层的矫顽场，以及多层mtj堆栈在沉积、退火和在毯覆薄膜或有图案的晶圆上磁化。这种非接触式全晶圆技术可测量自由层和固定层的磁性。
一系列控片和在线产品晶圆缺陷检测和检视系统(取决于灵敏度和采样要求)，可以在线检测关键缺陷，帮助工程师发现并解决可能影响良率和组件性能的工艺问题。
in-situ process control wafers，透过在工艺反应炉中撷取和记录参数并用于可视化、诊断和控制工艺条件。
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