面向图形、网络和HPC的下一代内存技术

在这个革命性技术的时代,内存在任何需要高速处理的应用中都起着至关重要的作用。高分辨率图形需要高速和高带宽图形内存,因此需要快速采用下一代内存技术高带宽内存(hbm)。hbm 正在进入领先的图形、网络、hpc(高性能计算)和人工智能系统;例如,视频信号解码器、全自动驾驶汽车、神经网络设计以及其他需要低功耗和大带宽的高级应用。我们之前的内存博客 – 下一代内存技术:准备好迎接验证挑战了吗?,讨论了跨应用的几种下一代内存技术。本博客将回顾 hbm 的详细信息,hbm 是用于图形、网络和 hpc 的下一代内存技术。
在过去的十年中,gddr5已成为行业标准,并在所有面向图形的技术中占据重要地位。gddr5 专注于使用更多功率来实现更高的时钟速度。gddr5 芯片以单层形式直接连接到显卡,这意味着添加更多内存涉及在显卡上水平展开。因此,功耗和外形尺寸一直是主要问题。hbm 已成为打破所有加工瓶颈的替代方案。
hbm: 面向图形的内存技术的未来
hbm 是一种 3d dram 技术,可堆叠多达 2 个 dram 芯片,这些芯片通过 tsv(硅通孔)和微凸块互连。它通过分布式接口与主机计算芯片紧密耦合。接口分为完全独立的通道,不一定彼此同步。hbm dram 使用宽接口架构来实现高速、低功耗运行。hbm 现已升级到 hbm2,每个堆栈最多可容纳 个芯片,引脚传输速率翻倍至 gt/s,适用于性能敏感的消费类应用。
主要特点
与任何其他 dram 一样,hbm 内存由主机内存控制器的命令控制。它提供了两个独立的行和列命令接口,允许激活/预充电与读/写并行发出,因此这简化了控制器操作并提高了效率。它一次处理 128 位数据,支持 2n 个预取架构,每个内存读写访问 256 位。
hbm2 的关键增强功能之一是其伪通道模式,它将一个通道分成两个单独的子通道,每个子通道 64 位 i/o。这些通道是半独立的。在传统模式下,每个页面的大小为 2kb,但在伪通道模式下,它只有 1kb。页面大小越大,打开页面所需的电量就越大。由于伪通道页面的大小只有其一半,因此还需要大约一半的电流。这些伪通道半独立运行,它们共享通道的行和列命令总线以及 ck 和 cke 输入,但单独解码和执行命令。它们还共享设备模式寄存器。
hbm 还具有温度传感器,控制器可以读取该传感器以调整其刷新率。它支持温度补偿自刷新。ras(可靠性、可用性和灵敏度)功能包括对用于数据纠错和列/行地址/数据奇偶校验的 ecc(纠错码)的支持。hbm 的另一个吸引人的特点是 用于 ieee-1500 访问的 jtag 连接, aword 和 dword 训练, 通道修复, 边界扫描和环回测试模式.这些内置的自检 (bist) 和内置的自修复 (bisr) 功能使 hbm 成为最复杂的动态 ram 之一。这些测试功能用于组装系统级封装(sip)的最后测试步骤。
总而言之,hbm 是性能、功耗和外形受限系统的突破性内存解决方案,提供高带宽、低有效功耗和小尺寸。与将 dram 芯片尽可能靠近电路板放置的传统内存设置不同,hbm 将一堆 ram 芯片堆叠在一起。


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