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芯片封装烧结银工艺
如何降低芯片封装纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要内容。
芯片封装纳米烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况,总结出芯片封装纳米烧结银的工艺流程供大家参考:
善仁新材的芯片封装纳米烧结银包括as9330系列和as9375两个系列,其中as9330为半烧结银膏,as9375为全烧结银膏。
芯片烧结银的工艺流程如下:
1 清洁芯片和被粘结的界面
2 假设界面表面能太低,建议提高界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀
5 芯片放到涂有烧结银的界面上时,建议加一点压力到上界面压一下
6 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度,比如3分钟升高5度等
7 烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出
8 烧结银烧结时,要主要烧结温度,烧结时间,烧结压力”铁三角“的调整问题。
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