赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器
赛普拉斯fm25v05-gtr是一款非易失性铁电存储器，采用先进铁电工艺的512kb非易失性存储器。主要提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，eeprom和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。并且执行类似于ram的读取和写入操作。
fm25v05-gtr是串行fram存储器。逻辑上将存储器阵列组织为65，536×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（spi）总线对其进行访问。fram的功能操作类似于串行闪存和串行eeprom。fm25v05-gtr与具有相同引脚排列的串行闪存或eeprom之间的主要区别在于fram的优异写入性能，高耐用性和低功耗。cypress代理英尚微可提供产品相关技术支持服务。
与串行闪存和eeprom不同，fm25v05-gtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25v05-gtr能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1亿倍的写周期。
这些功能使fm25v05-gtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集（可能是关键的写周期数）到要求苛刻的工业控制，在这些情况下，串行闪存或eeprom的长写入时间可能会导致数据丢失。
fm25v05-gtr作为串行eeprom或闪存的用户，可作为硬件的替代品而获得实质性好处。fm25v05-gtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备id，该id允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
记忆体架构
访问fm25v05-gtr时，用户对每个8个数据位的64k地址进行寻址。这八个数据位被串行移入或移出。使用spi协议访问地址，该协议包括一个芯片选择（允许总线上有多个设备），一个操作码和一个2字节地址。16位的完整地址唯一地指定每个字节地址。
fm25v05-gtr的大多数功能要么由spi接口控制，要么由板载电路处理。存储器操作的访问时间基本上为零，超出了串行协议所需的时间。也就是说，以spi总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或eeprom不同，由于以总线速度进行写操作，因此无需轮询设备是否处于就绪状态。到可以将新的总线事务转移到设备中时，写操作就完成了。界面部分将对此进行详细说明。
串行外设接口–spi总线
fm25v05-gtr是spi从设备，运行速度高达40mhz。该高速串行总线提供了与spi主设备的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具有允许直接接口的硬件spi端口。对于不带微控制器的微控制器，使用普通端口引脚来仿真端口非常简单。fm25v05-gtr在spi模式0和3下运行。
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与串行闪存和eeprom不同，fm25v05-gtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25v05-gtr能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1亿倍的写周期。
这些功能使fm25v05-gtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集（可能是关键的写周期数）到要求苛刻的工业控制，在这些情况下，串行闪存或eeprom的长写入时间可能会导致数据丢失。
fm25v05-gtr作为串行eeprom或闪存的用户，可作为硬件的替代品而获得实质性好处。fm25v05-gtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备id，该id允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
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fm25v05-gtr的大多数功能要么由spi接口控制，要么由板载电路处理。存储器操作的访问时间基本上为零，超出了串行协议所需的时间。也就是说，以spi总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或eeprom不同，由于以总线速度进行写操作，因此无需轮询设备是否处于就绪状态。到可以将新的总线事务转移到设备中时，写操作就完成了。界面部分将对此进行详细说明。
串行外设接口–spi总线
fm25v05-gtr是spi从设备，运行速度高达40mhz。该高速串行总线提供了与spi主设备的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具有允许直接接口的硬件spi端口。对于不带微控制器的微控制器，使用普通端口引脚来仿真端口非常简单。fm25v05-gtr在spi模式0和3下运行。
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