国产存储16M异步SRAM芯片EMI516NF16LM
快速异步型sram，存取时间为35ns（或更短）的异步型sram可被归类为“快速”异步型sram。
国产sram芯片emi516nf16lm-10i是容量16mbit异步快速随机静态存储器，位宽8*1m字位。该器件采用先进的cmos工艺和基于6-tr的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。
emi516nf16lm-10i使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装采用48fbga。代理英尚国际有限公司支持提供样品测试及技术支持。
emi516nf16lm-10i特点
•快速访问时间：10ns
•cmos低功耗待机(ttl)：35ma（最大值）
(cmos):28ma(max.)工作:85ma(8ns,max.)75ma(10ns,max.)
•3.3v电源
•ttl兼容输入和输出
•完全静态操作，无需时钟或刷新
•三态输出
•数据字节控制(x16模式)lb:i/o0~i/o7,ub:i/o8~i/o15
•标准48fbga封装类型
•符合rohs
•工业温度
安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场（niche market）专用芯片/小型soc芯片及sram芯片的整体解决方案，提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
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emi516nf16lm-10i使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装采用48fbga。代理英尚国际有限公司支持提供样品测试及技术支持。
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(cmos):28ma(max.)工作:85ma(8ns,max.)75ma(10ns,max.)
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