GaAs器件2020年营收达64.92亿美元
由于现行射频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求，逐渐以gaas晶圆作为器件的制造材料，加上随着5g建设逐步展开，射频器件使用量较4g时代倍增，预料将带动gaas射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。
拓墣产业研究院指出，由于射频前端器件特性，包含耐高电压、耐高温与高频使用等，在4g与5g时代有高度需求，传统如hbt和cmos的si器件已无法满足，厂商便逐渐将目光转移至gaas化合物半导体。而gaas化合物半导体凭借本身电子迁移率较si器件快速，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性，因此特别适合应用于无线通讯中的高频传输领域。
由于4g时代的手机通讯频率使用范围已进展至1.8～2.7ghz，传统3g的si射频前端器件已不够使用，加上5g通市场正步入高速成长期，其使用频段也将更广泛(包含3～5ghz、20～30ghz)，因此无论是4g或5g通讯应用，现行射频器件都将逐渐被gaas取代。
若以目前市场发展来看，2018年下半年受到手机销量下滑、中美贸易战影响，冲击gaas通讯器件idm厂营收表现，预估2019年idm厂总营收将下滑至58.35亿美元，年减8.9%。
然而，随着5g通讯持续发展，射频前端器件使用数量将明显提升，如功率放大器(pa)使用量，由3g时代的2颗、4g的5-7颗，提升至5g时代的16颗，将带动2020年整体营收成长，预估gaas射频前端器件总营收将达64.92亿美元，年增11.3%。
整体而言，随着各国持续投入建设5g基站等基础设施，预估在2021、2022年将达到高峰，加上射频前端器件使用数量较4g时代翻倍，将可望带动idm大厂skyworks(思佳讯)、qorvo(威讯)新一波营收成长动能，而台厂射频代工制造业稳懋、宏捷科及环宇等，也将随着idm厂扩产而取得订单，逐渐摆脱营收衰退的阴霾。
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