研华DeviceOn/BI通过工业案例审核 罗姆SiC MOSFET发挥性能优势
罗姆第4代sic mosfet发挥性能优势
近日，上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于sic技术的 “三合一”电桥完成试制。据悉，对比现有电桥产品，这款sic“三合一”电桥在能耗表现方面非常抢眼，每百公里可节约0.645kw·h电能。以上汽大众在id 4x车型上的测试结果为例，对比传统的igbt方案，整车续航里程提升了4.5%。由此可知，sic电桥方案的优势非常明显。但作为一种新技术，sic电控系统还存在一些开发难点，比如sic模块的本体设计，以及高速开关带来的系统emc应对难题。值得一提的是，臻驱科技此次完成试制的“三合一”电桥采用的是罗姆第4代sic mosfet裸芯片，充分发挥了碳化硅器件的性能优势。
罗姆于2020年完成开发的第4代sic mosfet，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。该产品用于车载主驱逆变器时，效率更高，与使用igbt时相比，效率显著提升，因此非常有助于延长电动汽车的续航里程，并减少电池使用量，降低电动汽车的成本。
对比罗姆的第3代sic mosfet产品，第4代sic mosfet具有导通电阻更低的特点。根据测试结果显示，在芯片尺寸相同且在不牺牲短路耐受时间的前提下，罗姆采用改进的双沟槽结构，使得mosfet的导通电阻降低了约40％，传导损耗相应降低。此外，从rds（on）与vgs的关系图中，我们可以发现第4代sic mosfet在栅极电压处于+15v和+18v之间时具有更平坦的梯度，这意味着第4代sic mosfet的驱动电压范围可拓展至15v-18v。
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“企业正在处理、完善他们的数据，构建 ai 软件，并逐渐成为智能制造商，”身处一个 nvidia omniverse 实时 3d 协作和模拟平台上打造的虚拟环境中，黄仁勋描述了 ai 如何在各个领域“全面开花”。
omniverse 将汇聚所有这些进步，加快人与 ai 之间的协作、更好地塑造和理解真实世界并成为新型机器人的试验场，推动“下一波 ai”的发展浪潮。
研华deviceon/bi通过工业案例审核
近日，工业互联网产业联盟（以下简称“aii/联盟”）公布2021工业app应用案例评选名单，研华deviceon/bi设备管理及业务整合平台顺利通过审核。
deviceon/bi集成关键技术，通过提供实时监控、优化运营和维护管理，实现业务数字化无缝转型，为各产业提供全方位的工业物联网解决方案，提升企业竞争力。目前已成功应用在智慧水务、污/废水处理、石油化工、厂务环境设施等各个领域，提供从云+中台+端的一体化解决方案，为各领域构建数字化运维生态系统助力。
本文综合整理自研华 罗姆 nvidia
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本文综合整理自研华 罗姆 nvidia
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