如何保持电源的完整性 浅谈SSN产生原理
由于芯片工艺不断改进，从0.35um、0.18um、0.13um到目前的40nm甚至28nm，芯片的内核电压也在不断降低，从3.3v、1.8v、1.5v到40nm器件的0.9v，芯片对电源的波动越来越敏感。
与si相比，电源完整性pi是一个比较新的概念，实际上pi也属于si研究的范畴，它和si之间的关系非常密切。
保持电源的完整性，就是保持电源的稳定供电。在实际系统中，要做到这一点并不容易，因为系统中总是存在着不同频率的噪声。
首先需要把电源分配系统与外界很好的隔离起来，电源系统与外界主要的连接途径是电压调整模块，通常总是需要在电压调整模块的附近使用t型或者pi型滤波网络。以放置低频噪声串入。同时大电容也提供了一个电荷的蓄水池，及时提供电压调整模块所不能供给的电流。
另外，系统内部的一些元件会产生高频的电源噪声，例如在数字逻辑门在翻转的时候，瞬间会从电源平面汲取一定的电流。电流值虽然不是很大，但是速度很快，如果是电源分配系统的阻抗，电源平面不能及时提供这些电流，那么就会在这里产生翻转噪声。如果pcb去耦处理不当，这个电源噪声就会波及整个电源地平面。
与此相类似，当信号线穿过一个过孔，切换信号的参考平面时，例如由地平面切换到电源平面，相应的会在过孔附近的电源平面和地平面之间形成一个回路电流，这个回路电流同样会成为系统噪声，波及整个电源分布系统。
同步开关噪声
同步开关噪声（ssn）是指由于多个输出同时发生翻转而引起的感应噪声。
要搞清楚ssn的原理，必须从不同的层面来分析。下图所示，电源分配系统的感抗表示，同时也把硅片到pcb电源之间的连线感抗也表示出来。
ssn模型
从芯片级来考虑，如果多个io同时由“1”到“0”翻转，会在地脚上产生较大的变化电流，上图实线箭头部分，由于芯片电感的存在，而电感的特性是产生一个反向电动势来抵抗电流的变化，因此在硅片内部的地平面和单板地之间将形成一定的电压波动，这种现象又称为地弹（ground-bounce）。
要知道pcb的地和硅片的地之间的电压差关系，首先要分析输出信号的电压变化。当输出信号由“1”翻转到“0”时，在输出驱动器的下拉mos管和芯片电感上将产生一个相应的电流变化（i），这个电流满足i=-c*（dv/dt），这里的负号表示电流的方向（灌电流）。如下图i的变化情况，首先由0变为最大值，然后再回到0。
ssn产生原理
这样的电流变化会在“芯片电感”两端产生一个电压的波动（v_ldie） ，根据电感的特性，这个电压值可以表示为v_ldie=ldie*（di/dt），如上图。
因此，在硅片地和pcb地之间就有一个v_ldie的电压差，假设pcb地保持不变，硅片地上就有一个相应的噪声信号，这个噪声信号会对输出0的静态信号造成影响，也有可能使得输入信号误采样，如下图，ssn对输出低信号的影响。
ssn对输出低信号的影响
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这样的电流变化会在“芯片电感”两端产生一个电压的波动（v_ldie） ，根据电感的特性，这个电压值可以表示为v_ldie=ldie*（di/dt），如上图。
因此，在硅片地和pcb地之间就有一个v_ldie的电压差，假设pcb地保持不变，硅片地上就有一个相应的噪声信号，这个噪声信号会对输出0的静态信号造成影响，也有可能使得输入信号误采样，如下图，ssn对输出低信号的影响。
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