浅谈PCB布局中的DDR4阻抗变化

如果没有正确的设计和分析工具集,高速接口可能难以布局和布线。以太网,usb,ddr,mipi等协议需要在pcb布局中进行精确的单端和差分阻抗控制。反过来,这需要设计一个堆栈,用于具有定义的走线几何形状和返回路径的受控阻抗路由。难怪有些设计师很难开始高速布局和布线。
一旦完成布局和布线,就会出现布线是否正确的问题。在线drc无疑可以帮助您不受设计约束,并防止可能会损害阻抗,产生过多串扰和引起emi敏感性的布线错误。当您确实遇到阻抗变化之类的问题时,如果没有正确的场求解器,可能很难发现和纠正。
这些工具的综合功能使设计人员可以直接从pcb布局数据访问多个集成的现场求解器,以运行信号完整性,电源完整性和emi分析。让我们看看如何使用这些工具识别ddr4阻抗变化以及什么会导致这些阻抗变化。
我们使用siwave中的混合求解器在电路板的ddr4部分中发现了emi问题,这与电路板中的电源层阻抗有关,特别是pll_1v8网络(第6层)。除了运行drc之外,在签核之前还应在布局中检查其他重要的信号完整性指标。一些例子是:
任何阻抗控制网络上的阻抗变化 高速信号的返回路径 高速网络之间的串扰 关键网络上的s,y和z参数提取 关键网络上的寄生提取 在布局阶段,很难发现特定网络上的阻抗变化。尽管您可以为特定的网络类别定义阻抗配置文件,并可以在altium designer中轻松控制阻抗来布线走线,但是在布局中工作时,走线上的信号所看到的阻抗可能会发生变化。修改平面和铜浇注区域的形状后,您可以做出布局决定,以修改关键网络上的阻抗。同样,在完成复杂电路板的布局时,设计人员有可能在关键信号的返回路径中放置不连续点。因此,除了altium designer内置的drc引擎外,还必须使用一些验证工具。
ddr4阻抗目标
mini pc板包含两个板载8 gb ddr4 dram芯片,它们以1866 mhz运行,并且fpga和ddr4芯片之间的路由需要阻抗控制。对于该板中使用的micron mt40a512m16ly-107e dram模块,可选的片上端接允许34/40/48 ohm单端阻抗或85/90/95 ohm差分阻抗(也提供其他值)。
在对mini pc板进行初步调查后,我们可以看到一些ddr4网络(字节通道1,第7层中的对称带状线)在pll_1v8电源层和gnd层(第6层)之间的分界线下方交叉。这些网络的下半部分以vdd_ddr平面(第8层)为参考,该平面为ddr4模块供电并与接地平面(第9层)相邻。
在这里,我们看到两个网络在pll_1v8平面和gnd的分叉处相交,其中一个是ddr4_dm1(ddr4字节1的一部分)。与usb_d10网络相比,ddr4_dm1具有非常长的部分,该部分在pll_1v8与gnd之间的分支之间通过。ddr4_dm1在两个平面之间交叉的部分非常长,走线的此部分的阻抗可能与所需的阻抗明显不同。
在这里, altium designer中的simberian场求解器表明,这些带状线迹线的单端阻抗设计为 〜42欧姆(0.15毫米宽,dk = 3.6,第6层和第8层之间为0.24毫米)。该设计假定带状线上方和下方的平面是均匀的,这将在此几何形状中提供所需的阻抗。由于平面之间的间隙,带状线看起来是不对称的,因此人们希望在此部分看到更高的阻抗。
阻抗扫描仪的现场求解器结果如图2所示。该图显示了路由到板载ddr4模块的每个网络的特征阻抗。插图面板显示了ddr4_dm1网络的放大视图。使用热图在视觉上显示了阻抗,从而可以识别迹线特定部分的阻抗,并将其与上面定义的ddr4阻抗目标进行比较。
由于返回电流被感应到没有相邻接地平面的pll_1v8电源板中,因此该板上的叠层已经给高速信号创建一致的返回路径带来了困难。就分布式电路模型而言,这会减少带状线装置的每单位长度电容,从而在仿真结果中产生更大的阻抗。另外,路由已经很密集,并且需要保持这些网络之间的间距以减少串扰。
布局中针对这些问题的可能解决方案包括:
更改层堆叠,以使这些ddr网络参考第6层上的连续接地层。
尝试修改pll_1v8平面底部边缘附近的布线,以使ddr4_dm1位于pll_1v8下方。
修改pll_1v8平面的跨度,使其与ddr4_dm1重叠。
最好的解决方案是与第2点和第3点相结合的,它与上一篇博客文章中的建议不冲突。一种选择是重新加工图3中所示的长度调整部分,以便为ddr4_dm1腾出空间。


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