NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
1.描述
np3p06mr采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的rds（on）冲锋。可用于负载开关和电池保护申请。
2.一般特征
* vds=-60v，id=-3a
rds（开）（典型值）=123.5 mω@vgs=-10v
rds(on)（典型值）=160 mω@vgs=-4.5v
* 高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装
3.应用程序
* 电池保护
* 负荷开关
4.包装
sot-23-3l
5.示意图
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NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
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