负载电容(IO电容)Cin对信号上升沿的影响

负载电容(io电容)cin对信号上升沿的影响
任何芯片io都有输入电容,通常为2pf左右,加上寄生电容,大约3ps。这个电容相当于负载电容,高速信号在这个电容上建立电压,相当于给电容充电,电容的充电公式是:
v0是电容初始电压,vu充满后的电压值,假设v0=0v。那么上面公式简化为:
当t = rc时,vt = 0.63vu;
当t = 2rc时,vt = 0.86vu;
当t = 3rc时,vt = 0.95vu;
当t = 4rc时,vt = 0.98vu;
当t = 5rc时,vt = 0.99vu;
我们平时用的时间常数τe指电容两端电压从0v上升到1-1/e=1-37%=63%所需的时间(e=2.71828);
利用上述公式,计算出上升时间10%~90%所需要的时间是:
如果传输线阻抗50ω,cin=3pf,则τ10-90=0.33ns。如果信号的上升时间小于0.33ns,电容的充放电效应将会影响信号的上升时间。如果信号的上升时间大于0.33ns,这个电容将使信号上升时间增加越0.33ns
负载电容对信号上升沿的直接影响就是延长了上升时间,如下图:
线路中途容性负载对信号的影响
测试焊盘,过孔,封装引线或者连接到互连线中途的短桩线,都有寄生电容,相当于容性负载。这些容性负载通常是pf级别。
假设这些容性负载导致阻抗突变为25ω,这导致信号传输到这里,有负的信号被反射,然后入射信号降低。当信号到达负载端后返回,在这个点,又有负的信号返回到负载端。从波形上看就是信号幅度下降,下冲,振铃,上升时间增加。
下面计算一下线路中途负载电容的阻抗:
假设上升沿是线性的dv/dt=v/tr;
如果c很小,则zcap很大,如果远远大于50ω,那么与传输线的阻抗并联,几乎不影响整个传输线阻抗。如果zcap的值与传输线相当,它与传输线50ω并联,形成比50ω小的阻抗,就会引起信号完整性问题。
经验法则是zcap>5x50ω,就不会引起信号完整性问题。带入上述公式:
也即是:
假设上升时间是1nf,则允许的电容量为4pf;如果上升时间是0.25ns,则允许的电容量是1pf。
容性突变对信号上升时间的影响有一个经验公式:
50ω传输线,对于2pf容性突变,传输信号的10-90%上升时间增加约50x2pf=100ps。50%门限的延迟累加约为0.5x50x2pf=50ps。
50%门限的延迟成为延迟累加,用这个衡量电容突变对延迟的影响比较准确。上面的经验公式比较准确,下面是仿真结果,基本能吻合:
要想降低电容突变对信号上升沿的影响,如果电容降低不了,就只能降低传输线阻抗了。


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