陶瓷基板的种类及其特点
陶瓷材料在电子工业中扮演着重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
各种陶瓷基板材料的比较
① al₂o₃
到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、电性能上相对于大多数其他氧化物陶瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状。
② beo
具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。
③ aln
aln有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与si相匹配的膨胀系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导
率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的aln基板。目前大规模的aln生产技术国内还是不成熟，相对于al₂o₃，aln价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的瓶颈。综合以上原因，可以知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能，在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。
陶瓷基板的制造
制造高纯度的陶瓷基板是很困难的，大部分陶瓷熔点和硬度都很高，这一点限制了陶瓷机械加工的可能性，因此陶瓷基板中常常掺杂熔点较低的玻璃用于助熔或者粘接，使最终产品易于机械加工。
陶瓷基片→陶瓷基板
al₂o₃、beo、aln基板制备过程很相似，将基体材料研磨成粉直径在几微米左右，与不同的玻璃助熔剂和粘接剂（包括粉体的mgo、cao）混合，此外还向混合物中加入一些有机粘接剂和不同的增塑剂再通过球磨防止团聚使成分均匀，成型生瓷片，最后高温烧结。目前陶瓷成型主要有如下几种方法：
辊轴轧制将浆料喷涂到一个平坦的表面，部分干燥以形成黏度像油灰状的薄片，再将薄片送入一对大的平行辊轴中轧碾得到厚度均匀的生瓷片。
流延浆料通过锋利的刀刃涂复在一个移动的带上形成薄片。与其他工艺相比这是一种低压的工艺。
粉末压制粉末在硬模具腔内并施加很大的压力（约138mpa）下烧结，尽管压力不均匀可能产生过度翘曲但这一工艺生产的烧结件非常致密，容差较小。
等静压粉末压制这种工艺使用使用周围为水或者为甘油的模及使用高达69mpa的压力这种压力更为均匀所制成的部件翘曲更小。
挤压浆料通过模具挤出这种工艺使用的浆料黏度较低，难以获得较小容差，但是这种工艺非常经济，并且可以得到比其他方法更薄的部件。
陶瓷基板种类及其特点
现阶段的陶瓷散热基板种类主要有较为普遍的htcc、ltcc、dbc、dpc以及新兴的dba、amb。
① ltcc（low-temperature co-fired ceramic）
ltcc又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递，ltcc内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型，即可完成。
②htcc（high-temperature co-fired ceramic）
htcc又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与ltcc极为相似，主要的差异点在于htcc的陶瓷粉末并无加入玻璃材质，因此，htcc的必须在高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。
③ dbc（direct bonded copper）
直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃~1083℃范围内，铜与氧形成cu-o共晶液，dbc技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成cualo2或cual2o4相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。直接敷铜陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、导热性能和陶瓷的机械强度高、低介电损耗的优点，所以得到广泛的应用。
④ dba（direct bonded aluminum）
直接敷铝陶瓷基板（dba）是基于dbc工艺技术发展起来的新型金属敷接陶瓷基板，是铝与陶瓷层键合而形成的基板，其结构与dbc相似，也可以像pcb一样蚀刻出各式各样的图形。利用铝在液态下对陶瓷有着较好的润湿性以实现二者的敷接。当温度升至660℃以上时，固态铝发生液化，当液态铝润湿陶瓷表面后，随着温度的降低，铝直接在陶瓷表面提供的晶核结晶生长，冷却到室温实现两者的结合。
aln-dbc
于绝缘载体，特别是功率电子电路。这种新型材料在很多方面都有和直接敷铜基板（dbc）相似的地方，而自身又具有显著的抗热震性能和热稳定性能，对提高在极端温度下工作器件的稳定性十分明显。由al-al₂o₃基板、al-aln基板做成的电力器件模块已成功应用在日本汽车工业上。dab基板在对高可靠性有特殊要求的器件上具有巨大的潜力，这就使其非常适合优化功率电子系统、自动化、航空航天等。
⑤ dpc（direct plate copper）
dpc亦称为直接镀铜基板，dpc基板工艺为例：首先将陶瓷基板做前处理清洁，利用薄膜专业制造技术－真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层，接着以黄光微影之光阻被复曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度，待光阻移除后即完成金属化线路制作。
⑥ amb（active metal bonding）
活性金属钎焊陶瓷基板（amb）是在800℃左右的高温下，含有活性元素ti、zr的agcu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金属焊料，再与无氧铜层装夹，在真空钎焊炉中进行高温焊接，然后刻蚀出图形制作电路，最后再对表面图形进行化学镀。
amb工艺流程
与dbc陶瓷基板相比，amb陶瓷基板具有更高的结合强度和冷热循环特性。目前，随着电力电子技术的高速发展，高铁上的大功率器件控制模块对igbt模块封装的关键材料——陶瓷覆铜板形成巨大需求，尤其是amb基板逐渐成为主流应用。日本京瓷采用活性金属焊接工艺制备出了氮化硅陶瓷覆铜基板，其耐温度循环（-40~125℃）达到5000次，可承载大于300a的电流，已用于电动汽车、航空航天等领域。特别是，该产品采用活性金属焊接工艺将多层无氧铜与氮化硅陶瓷键合，同时采用铜柱焊接实现垂直互联，对igbt模块小型化、高可靠性等要求有较好的促进作用。
陶瓷基板特性分析
① 热传导率
热导率代表了基板材料本身直接传导热能的一种能力，数值愈高代表其散热能力愈好。在led领域散热基板最主要的作用就是在于，如何有效地将热能从led芯片传导到系统散热，以降低led芯片的温度，增加发光效率与延长led寿命，因此，散热基板热传导效果的优劣就成为业界在选用散热基板时，重要的评估项目之一。
② 操作环境温度
操作环境温度，主要是指产品在生产过程中，使用到最高工艺温度，而对生产工艺而言，所使用的温度愈高，相对的制造成本也愈高，且良率不易掌控。htcc工艺本身即因为陶瓷粉末材料成分的不同，其工艺温度约在1300~1600℃之间，而ltcc/dbc的工艺温度亦约在850~1000℃之间。此外，htcc与ltcc在工艺后必须叠层后再烧结成型，使得各层会有收缩比例问题，为解决此问题相关业者也在努力寻求解决方案中。
另一方面，dbc对工艺温度精准度要求十分严苛，必须于温度极度稳定的1065~1085℃温度范围下，才能使铜层熔炼为共晶熔体，与陶瓷基板紧密结合，若生产工艺的温度不够稳定，势必会造成良率偏低的现象。而在工艺温度与裕度的考量，dpc的工艺温度仅需250~350℃左右的温度即可完成散热基板的制作，完全避免了高温对于材料所造成的破坏或尺寸变异的现象，也排除了制造成本费用高的问题。
③ 工艺能力
工艺能力，主要是表示各种散热基板的金属线路是以何种工艺技术完成，由于线路制造/成型的方法直接影响了线路精准度、表面粗糙镀、对位精准度…等特性，因此在高功率小尺寸的精细线路需求下，工艺分辨率便成了必须要考虑的重要项目之一。
ltcc与htcc均是采用厚膜印刷技术完成线路制作，厚膜印刷本身即受限于网版张力问题，一般而言，其线路表面较为粗糙，且容易造成有对位不精准与累进公差过大等现象。此外，多层陶瓷叠压烧结工艺，还有收缩比例的问题需要考量，这使得其工艺分辨率较为受限。而dbc虽以微影工艺制金属线路，但因其工艺能力限制，金属铜厚的下限约在150~300um之间，这使得其金属线路的分辨率上限亦仅为150~300um之间（以深宽比1:1为标准）。
而dpc则是采用的薄膜工艺制作，利用了真空镀膜、黄光微影工艺制作线路，使基板上的线路能够更加精确，表面平整度高，再利用电镀/电化学镀沉积方式增加线路的厚度，dpc金属线路厚度可依产品实际需求（金属厚度与线路分辨率）而设计。一般而言，dpc金属线路的分辨率在金属线路深宽比为1:1的原则下约在10~50um之间。因此，dpc杜绝了ltcc/htcc的烧结收缩比例及厚膜工艺的网版张网问题。
④ 陶瓷散热基板之应用
陶瓷散热基板会因应需求及应用上的不同，外型亦有所差别。另一方面，各种陶瓷基板也可依产品制造方法的不同，作出基本的区分。ltcc散热基板在led产品的应用上，大多以大尺寸高功率以及小尺寸低功率产品为主，基本上外观大多呈现凹杯状，且依客户端的需求可制作出有导线架&没有导线架两种散热基板，凹杯形状主要是针对封装工艺采用较简易的点胶方式封装成型所设计，并利用凹杯边缘作为光线反射的路径，但ltcc本身即受限于工艺因素，使得产品难以备制成小尺寸，再者，采用了厚膜制作线路，使得线路精准度不足以符合高功率小尺寸的led产品。
而与ltcc工艺与外观相似的htcc，在led散热基板这一块，尚未被普遍的使用，主要是因为htcc采用1300~1600℃高温干燥硬化，使生产成本的增加，相对的htcc基板费用也高，因此对极力朝低成本趋向迈进led产业而言，面临了较严苛的考验htcc。
另一方面，dbc与dpc则与ltcc/htcc不仅有外观上的差异，连led产品封装方式亦有所不同，dbc/dpc均是属于平面式的散热基板，而平面式散热基板可依客制化备制金属线路加工，再根据客户需求切割成小尺寸产品，辅以共晶/复晶工艺，结合已非常纯熟的萤光粉涂布技术及高阶封装工艺技术铸膜成型，可大幅的提升led的发光效率。
然而，dbc产品因受工艺能力限制，使得线路分辨率上限仅为150~300um，若要特别制作细线路产品，必须采用研磨方式加工，以降低铜层厚度，但却造成表面平整度不易控制与增加额外成本等问题，使得dbc产品不易于共晶/复晶工艺高线路精准度与高平整度的要求之应用。dpc利用薄膜微影工艺制备金属线路加工，具备了线路高精准度与高表面平整度的的特性，非常适用于复晶/共晶接合方式的工艺，能够大幅减少led产品的导线截面积，进而提升散热的效率。
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① al₂o₃
到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、电性能上相对于大多数其他氧化物陶瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状。
② beo
具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。
③ aln
aln有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与si相匹配的膨胀系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导
率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的aln基板。目前大规模的aln生产技术国内还是不成熟，相对于al₂o₃，aln价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的瓶颈。综合以上原因，可以知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能，在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。
陶瓷基板的制造
制造高纯度的陶瓷基板是很困难的，大部分陶瓷熔点和硬度都很高，这一点限制了陶瓷机械加工的可能性，因此陶瓷基板中常常掺杂熔点较低的玻璃用于助熔或者粘接，使最终产品易于机械加工。
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al₂o₃、beo、aln基板制备过程很相似，将基体材料研磨成粉直径在几微米左右，与不同的玻璃助熔剂和粘接剂（包括粉体的mgo、cao）混合，此外还向混合物中加入一些有机粘接剂和不同的增塑剂再通过球磨防止团聚使成分均匀，成型生瓷片，最后高温烧结。目前陶瓷成型主要有如下几种方法：
辊轴轧制将浆料喷涂到一个平坦的表面，部分干燥以形成黏度像油灰状的薄片，再将薄片送入一对大的平行辊轴中轧碾得到厚度均匀的生瓷片。
流延浆料通过锋利的刀刃涂复在一个移动的带上形成薄片。与其他工艺相比这是一种低压的工艺。
粉末压制粉末在硬模具腔内并施加很大的压力（约138mpa）下烧结，尽管压力不均匀可能产生过度翘曲但这一工艺生产的烧结件非常致密，容差较小。
等静压粉末压制这种工艺使用使用周围为水或者为甘油的模及使用高达69mpa的压力这种压力更为均匀所制成的部件翘曲更小。
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现阶段的陶瓷散热基板种类主要有较为普遍的htcc、ltcc、dbc、dpc以及新兴的dba、amb。
① ltcc（low-temperature co-fired ceramic）
ltcc又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递，ltcc内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型，即可完成。
②htcc（high-temperature co-fired ceramic）
htcc又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与ltcc极为相似，主要的差异点在于htcc的陶瓷粉末并无加入玻璃材质，因此，htcc的必须在高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。
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④ dba（direct bonded aluminum）
直接敷铝陶瓷基板（dba）是基于dbc工艺技术发展起来的新型金属敷接陶瓷基板，是铝与陶瓷层键合而形成的基板，其结构与dbc相似，也可以像pcb一样蚀刻出各式各样的图形。利用铝在液态下对陶瓷有着较好的润湿性以实现二者的敷接。当温度升至660℃以上时，固态铝发生液化，当液态铝润湿陶瓷表面后，随着温度的降低，铝直接在陶瓷表面提供的晶核结晶生长，冷却到室温实现两者的结合。
aln-dbc
于绝缘载体，特别是功率电子电路。这种新型材料在很多方面都有和直接敷铜基板（dbc）相似的地方，而自身又具有显著的抗热震性能和热稳定性能，对提高在极端温度下工作器件的稳定性十分明显。由al-al₂o₃基板、al-aln基板做成的电力器件模块已成功应用在日本汽车工业上。dab基板在对高可靠性有特殊要求的器件上具有巨大的潜力，这就使其非常适合优化功率电子系统、自动化、航空航天等。
⑤ dpc（direct plate copper）
dpc亦称为直接镀铜基板，dpc基板工艺为例：首先将陶瓷基板做前处理清洁，利用薄膜专业制造技术－真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层，接着以黄光微影之光阻被复曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度，待光阻移除后即完成金属化线路制作。
⑥ amb（active metal bonding）
活性金属钎焊陶瓷基板（amb）是在800℃左右的高温下，含有活性元素ti、zr的agcu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金属焊料，再与无氧铜层装夹，在真空钎焊炉中进行高温焊接，然后刻蚀出图形制作电路，最后再对表面图形进行化学镀。
amb工艺流程
与dbc陶瓷基板相比，amb陶瓷基板具有更高的结合强度和冷热循环特性。目前，随着电力电子技术的高速发展，高铁上的大功率器件控制模块对igbt模块封装的关键材料——陶瓷覆铜板形成巨大需求，尤其是amb基板逐渐成为主流应用。日本京瓷采用活性金属焊接工艺制备出了氮化硅陶瓷覆铜基板，其耐温度循环（-40~125℃）达到5000次，可承载大于300a的电流，已用于电动汽车、航空航天等领域。特别是，该产品采用活性金属焊接工艺将多层无氧铜与氮化硅陶瓷键合，同时采用铜柱焊接实现垂直互联，对igbt模块小型化、高可靠性等要求有较好的促进作用。
陶瓷基板特性分析
① 热传导率
热导率代表了基板材料本身直接传导热能的一种能力，数值愈高代表其散热能力愈好。在led领域散热基板最主要的作用就是在于，如何有效地将热能从led芯片传导到系统散热，以降低led芯片的温度，增加发光效率与延长led寿命，因此，散热基板热传导效果的优劣就成为业界在选用散热基板时，重要的评估项目之一。
② 操作环境温度
操作环境温度，主要是指产品在生产过程中，使用到最高工艺温度，而对生产工艺而言，所使用的温度愈高，相对的制造成本也愈高，且良率不易掌控。htcc工艺本身即因为陶瓷粉末材料成分的不同，其工艺温度约在1300~1600℃之间，而ltcc/dbc的工艺温度亦约在850~1000℃之间。此外，htcc与ltcc在工艺后必须叠层后再烧结成型，使得各层会有收缩比例问题，为解决此问题相关业者也在努力寻求解决方案中。
另一方面，dbc对工艺温度精准度要求十分严苛，必须于温度极度稳定的1065~1085℃温度范围下，才能使铜层熔炼为共晶熔体，与陶瓷基板紧密结合，若生产工艺的温度不够稳定，势必会造成良率偏低的现象。而在工艺温度与裕度的考量，dpc的工艺温度仅需250~350℃左右的温度即可完成散热基板的制作，完全避免了高温对于材料所造成的破坏或尺寸变异的现象，也排除了制造成本费用高的问题。
③ 工艺能力
工艺能力，主要是表示各种散热基板的金属线路是以何种工艺技术完成，由于线路制造/成型的方法直接影响了线路精准度、表面粗糙镀、对位精准度…等特性，因此在高功率小尺寸的精细线路需求下，工艺分辨率便成了必须要考虑的重要项目之一。
ltcc与htcc均是采用厚膜印刷技术完成线路制作，厚膜印刷本身即受限于网版张力问题，一般而言，其线路表面较为粗糙，且容易造成有对位不精准与累进公差过大等现象。此外，多层陶瓷叠压烧结工艺，还有收缩比例的问题需要考量，这使得其工艺分辨率较为受限。而dbc虽以微影工艺制金属线路，但因其工艺能力限制，金属铜厚的下限约在150~300um之间，这使得其金属线路的分辨率上限亦仅为150~300um之间（以深宽比1:1为标准）。
而dpc则是采用的薄膜工艺制作，利用了真空镀膜、黄光微影工艺制作线路，使基板上的线路能够更加精确，表面平整度高，再利用电镀/电化学镀沉积方式增加线路的厚度，dpc金属线路厚度可依产品实际需求（金属厚度与线路分辨率）而设计。一般而言，dpc金属线路的分辨率在金属线路深宽比为1:1的原则下约在10~50um之间。因此，dpc杜绝了ltcc/htcc的烧结收缩比例及厚膜工艺的网版张网问题。
④ 陶瓷散热基板之应用
陶瓷散热基板会因应需求及应用上的不同，外型亦有所差别。另一方面，各种陶瓷基板也可依产品制造方法的不同，作出基本的区分。ltcc散热基板在led产品的应用上，大多以大尺寸高功率以及小尺寸低功率产品为主，基本上外观大多呈现凹杯状，且依客户端的需求可制作出有导线架&没有导线架两种散热基板，凹杯形状主要是针对封装工艺采用较简易的点胶方式封装成型所设计，并利用凹杯边缘作为光线反射的路径，但ltcc本身即受限于工艺因素，使得产品难以备制成小尺寸，再者，采用了厚膜制作线路，使得线路精准度不足以符合高功率小尺寸的led产品。
而与ltcc工艺与外观相似的htcc，在led散热基板这一块，尚未被普遍的使用，主要是因为htcc采用1300~1600℃高温干燥硬化，使生产成本的增加，相对的htcc基板费用也高，因此对极力朝低成本趋向迈进led产业而言，面临了较严苛的考验htcc。
另一方面，dbc与dpc则与ltcc/htcc不仅有外观上的差异，连led产品封装方式亦有所不同，dbc/dpc均是属于平面式的散热基板，而平面式散热基板可依客制化备制金属线路加工，再根据客户需求切割成小尺寸产品，辅以共晶/复晶工艺，结合已非常纯熟的萤光粉涂布技术及高阶封装工艺技术铸膜成型，可大幅的提升led的发光效率。
然而，dbc产品因受工艺能力限制，使得线路分辨率上限仅为150~300um，若要特别制作细线路产品，必须采用研磨方式加工，以降低铜层厚度，但却造成表面平整度不易控制与增加额外成本等问题，使得dbc产品不易于共晶/复晶工艺高线路精准度与高平整度的要求之应用。dpc利用薄膜微影工艺制备金属线路加工，具备了线路高精准度与高表面平整度的的特性，非常适用于复晶/共晶接合方式的工艺，能够大幅减少led产品的导线截面积，进而提升散热的效率。
Altium Designer PCB电路板设计步骤与技巧介绍
电池电源回收“风暴”即将来袭
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广东电信发生历史性故障，波及全省电信用户，容灾机制不起作用？
英特尔Mobii汽车操作系统，可手机来远程观察车内情况
陶瓷基板的种类及其特点
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