绝缘栅型场效应管之图解2
3. 特性曲线(以n沟道增强型为例)
场效应管的转移特性曲线动画
4.其它类型mos管
(1)n沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子,所以即使在vgs=0时,由于正离子的作用,两个n区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
其它类型mos管
(2)p沟道增强型:vgs = 0时,id = 0开启电压小于零,所以只有当vgs < 0时管子才能工作。
(3)p沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在vgs=0 时,由于负离子的作用,两个p区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
5. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压vt :在vds为一固定数值时,能产生id所需要的最小 |vgs | 值。(增强)
(2) 夹断电压vp :在vds为一固定数值时,使 id对应一微小电流时的 |vgs | 值。(耗尽)
(3) 饱和漏极电流idss :在vgs = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
(4) 极间电容 :漏源电容cds约为 0.1~1pf,栅源电容cgs和栅漏极电容cgd约为1~3pf。
(5) 低频跨导 gm :表示vgs对id的控制作用。
在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由id的表达式求导得出,单位为 s 或 ms。
(6) 最大漏极电流 idm
(7) 最大漏极耗散功率 pdm
(8) 漏源击穿电压 v(br)ds 栅源击穿电压 v(br)gs
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