450毫米晶圆2018年量产 极紫外光刻紧随其后
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰asml今天披露说，他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型，intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产，与此同时，极紫外（euv）光刻设备也进展顺利，将在今年交付两套新的系统。
asml在一份声明中称：“在客户合作投资项目的支持下，我们已经完成了用于极紫外、沉浸式光刻的450毫米架构的概念设计，将在2015年交货原型，并兼容2018年的量产，当然如果整个产业来得及的话。”
intel在今年初展示了全球第一块完整印刷的450毫米晶圆，跨过了里程碑式的一步，并随后宣布将投资20亿美元对俄勒冈州d1x fab工厂进行扩建，预计2015年可建成并安装450毫米晶圆生产设备。
历史上每次扩大晶圆尺寸都会将可用面积增加30-40％，芯片成本也有相应的降低，300毫米过渡到450毫米同样如此，所以为了使用更先进的制造工艺和极紫外光刻技术，450毫米晶圆势在必行，但随着尺寸的增大，晶圆制造的难度也是指数级增长，因此450毫米晶圆提了很多年了，但至今仍然没能投入实用。
asml的首批两套nxe:3300b极紫外光刻系统将在今年第二、第三季度出货并安装，用于验证极紫外光刻技术的可行性，为大规模制造做好准备。
asml nxe:3300b系统已经斩获了11个订单，还有7个也保证采纳。该系统已经做到单次曝光13nm，并且有能力达到9nm，为半导体工艺进军个位数纳米时代打下了基础。
nxe:3300b系统在半年前的源功率只有11w，每小时最多产出7块晶圆，三个月前提高到40w，如今已经可以做到55w，每小时产出43块晶圆，而最终目标是105w、69块。
在此之前，intel、台积电、三星电子曾经分别向asml投资多达41亿美元、14亿美元、9.7亿美元，共同推进其加速研发450毫米晶圆和极紫外光刻技术，受到刺激的asml随后耗资25亿美元收购了关键的光学技术提供商cymer，加快极紫外光刻进展。
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