探究罗姆非隔离型栅极驱动器以及超级结MOSFET PrestoMOS
rohm不仅提供电机驱动器ic，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件igbt和功率mosfet。
我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍rohm超级结mosfet prestomos。
采用了无闩锁效应soi工艺的高可靠性
非隔离型栅极驱动器
rohm的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应soi工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致ic或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能，而rohm的soi（silicon on insulator）工艺通过soi基板的完全介电分离法提高了耐压性能，并且可以从结构上避免闩锁效应。
反向恢复时间更短的超级结mosfet：
prestomos
prestomos是一种超级结mosfet，以往的超级结mosfet的问题在于内部寄生二极管的反向恢复时间trr特性，而prestomos系列产品不仅具有更短的反向恢复时间trr，而且损耗更低。
与igbt相比，prestomos在中低功率范围内的损耗电压很小，因而可以减少损耗。另外，在电机驱动电路等电路中，还可以使用高速内部寄生二极管，而无需使用外置快速恢复二极管（frd）来减少由普通mosfet和igbt的再生电流引起的换流损耗。与frd相比，prestomos的寄生二极管的vf更低，因此损耗也更低。
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