英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2，首次使用贵金属钌
英特尔现在的主力工艺依然是14nm，目前已经发展了三代14nm工艺，将会一直用到2019年底，之后才会升级10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上市了，联想ideapad 330就使用了10nm cannonlake架构的core i3-8121处理器，通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100mtr/mm2，是14nm节点的2.7倍，而且英特尔首次使用了贵金属钌。
techinsights日前就以联想ideapad 330中的core i3-8121处理器为例分析了英特尔的10nm工艺，详细报告还没有发布，他们只公布了部分数据，英特尔的10nm工艺主要创新如下：
·逻辑晶体管密度达到了100.8mtr/mm2，也就是每平方毫米1亿个晶体管，晶体管密度是14nm工艺的2.7倍多。
英特尔之前公布的自家14nm工艺特点 ·10nm finfet使用的是第三代finfet晶体管工艺技术
·10nm工艺的最小栅极距（gate pitch）从之前的70nm缩小到了54nm。
·10nm工艺的最小金属间距（metal pitch）从之前的52nm缩小到了36nm。
英特尔10nm工艺亮点：
·与现有10nm及即将问世的7nm工艺相比，英特尔10nm工艺具有最好的间距缩小指标
·在后端制程beol中首次联合使用金属铜及钌，后者是一种贵金属
·在contact及beol端使用了自对齐曝光方案（self-aligned patterning scheme）
设计亮点：
·通过6.2-track高密度库实现了超级缩放（hyperscaling ）
·cell级别的coag（contact on active gate）技术
关于英特尔的10nm工艺优势，之前我们也介绍过，而且英特尔ceo科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题，一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了，10nm工艺100mtr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多，性能指标是很好的，但遇到了良率这样的问题，所以量产时间上要比其他两家落后两年多。
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