意法半导体ST推出250A功率MOSFET，封装和制程同步升
意法半导体st推出250a功率mosfet，封装和制程同步升级，提高电机驱动能效
中国，2008年7月16日 —— 以降低电动汽车等电动设备的运营成本和环境影响为目标，电源管理应用的领先厂商意法半导体（纽约证券交易所代码：stm）推出一款250a表面贴装的功率mosfet晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品stv250n55f3是市场上首款整合st powerso-10? 封装和引线带楔焊键合技术的功率mosfet，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用st的高密度stripfet iii? 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。stripfet iii更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300w。
新产品的高额定电流让工程师可以设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈压还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的电力设备。
高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于强电流电力牵引设备，如叉车、高尔夫球用车和电动托盘装卸车以及割草机、电动轮椅和电动自行车。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的雪崩测试，为可靠性和抗击穿性提供了有力的保障。新产品将很快达到汽车级产品质量标准。
在同一个产品系列，st还有一款型号为55v stv200n55f3的产品，该产品的额定漏极连续电流为200a，源极连线配置为4线。
stv250n55f3样片即刻上市销售，预计2008年第三季度开始量产。
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