美国美光科技开始提速EUV DRAM
美国美光科技开始提速euv dram。加入到三星电子、sk海力士等全球第一、第二euv厂商选择的euv阵营后，后续euv竞争或将更为激烈。
根据韩媒etnews报道，美光科技通过多个网站开始招聘euv设备开发负责工程师。美光的公告显示：招聘负责美光euv设备scaner技术开发，管理euv系统和与asml的沟通的人才。工作地点为美光总部美国爱达荷州的博伊西。
美光是继三星电子和sk海力士之后，以20%的全球市占率排第三的dram厂商。本月初时美光台湾dram工厂还因停电一小时导致工厂停产。截止到3季度时较好业绩备受业界瞩目。且在nand flash领域，也率先发布了全球首款176层产品。
美光在全球dram市场中排名第三，仅次于三星电子和sk hynix。它的市场份额约为20％。
美光最近在nand闪存领域首次推出了176层产品。与其他顶级dram制造商一样，该公司正在生产10纳米第三代（1z）产品。预计该芯片制造商将在2021年上半年推出第四代（1a）dram。
但是，美光与三星电子和sk海力士之间的主要区别在于，美光不会将euv技术应用于1a dram。
美光公司在最近的一份声明中建议，鉴于高成本和技术局限性，它甚至可能不会将euv技术应用于下一代dram“ 1-beta”产品。
美光公司副总裁scott derbauer表示，该公司将在1-delta产品的生产中引入euv工艺。
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但是，美光与三星电子和sk海力士之间的主要区别在于，美光不会将euv技术应用于1a dram。
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