Si二极管用的散热性能出色的小型封装“PMDE”评估-PMDE封装的实机评估
关键要点:
・在此次比较评估中，尽管 pmde封装的尺寸更小，但其封装温度tc和效率却达到了与pmdu同等的水平。
・如果效率同等，则可以推断tj也同等，这表明pmde虽然尺寸更小，但却表现出与pmdu同等的散热性能。
本文将使用车载led驱动器bd81a44efv-m及其评估板，对pmdu和pmde的发热和效率进行比较评估，并以车载led驱动器bd81a44efv-m及其评估板确认其结果。
电路图和pcb布局
下面给出了bd81a44efv-m评估板上的led驱动电路（dc-dc部分）。该led驱动器通过升降压型dcdc转换器来控制输出电流。在该电路中，二极管d1和d2使用pmde封装sbd产品rbr2vwm40atf、以及pmdu封装sbd产品rbr2mm40atf进行比较。这两种sbd的内部元件相同，只是封装不同。
bd81a44efv-m评估板中的led驱动电路（dc-dc部分）和二极管d1、d2
另外，还在下面给出了该评估板的pcb布局。评估板共4层，表面和第4层（背面）的铜箔厚度为70μm，第2层和第3层为35μm。第1层的图案如图所示，第2、3、4层为74.2μm□的正方形图案。二极管d1和d2的安装位置在粉红色区域。
在该位置分别安装rbr2vwm40atf (pmde) 和 rbr2mm40atf (pmdu) 并进行了比较评估。
bd81a44efv-m评估板的pcb布局
发热情况比较
下面是在评估板上运行时，pmdu和pmde的热成像结果（封装温度tc）。
通过评估板上pmde和pmdu的热成像图来比较tc
结果显示，pmde和pmdu之间的tc差异很小，降压侧的温差为⊿tc(d1)=1.7℃，升压侧的温差为⊿tc(d2)=1.2℃。尽管pmde封装的尺寸更小，但通过有效地向电路板散热，pmde封装可以将封装温度tc抑制在与pmdu封装同等的水平。
效率比较
从效率比较结果可以看出，pmde的效率峰值ηpeak（pmde）为88.6%，pmdu的ηpeak（pmdu）为88.7%，两者几乎相同。由于所用sbd的内部元件相同（各温度系数相同），因此可以推断元件温度tj也是同等的。也就是说，在此次的评估条件下，pmde封装虽然比以往的pmdu封装尺寸更小，但却达到了与pmdu同等的散热性能，热失控的风险也得以控制在同等水平。
评估板上sbd的pmde和pmdu效率比较
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・在此次比较评估中，尽管 pmde封装的尺寸更小，但其封装温度tc和效率却达到了与pmdu同等的水平。
・如果效率同等，则可以推断tj也同等，这表明pmde虽然尺寸更小，但却表现出与pmdu同等的散热性能。
本文将使用车载led驱动器bd81a44efv-m及其评估板，对pmdu和pmde的发热和效率进行比较评估，并以车载led驱动器bd81a44efv-m及其评估板确认其结果。
电路图和pcb布局
下面给出了bd81a44efv-m评估板上的led驱动电路（dc-dc部分）。该led驱动器通过升降压型dcdc转换器来控制输出电流。在该电路中，二极管d1和d2使用pmde封装sbd产品rbr2vwm40atf、以及pmdu封装sbd产品rbr2mm40atf进行比较。这两种sbd的内部元件相同，只是封装不同。
bd81a44efv-m评估板中的led驱动电路（dc-dc部分）和二极管d1、d2
另外，还在下面给出了该评估板的pcb布局。评估板共4层，表面和第4层（背面）的铜箔厚度为70μm，第2层和第3层为35μm。第1层的图案如图所示，第2、3、4层为74.2μm□的正方形图案。二极管d1和d2的安装位置在粉红色区域。
在该位置分别安装rbr2vwm40atf (pmde) 和 rbr2mm40atf (pmdu) 并进行了比较评估。
bd81a44efv-m评估板的pcb布局
发热情况比较
下面是在评估板上运行时，pmdu和pmde的热成像结果（封装温度tc）。
通过评估板上pmde和pmdu的热成像图来比较tc
结果显示，pmde和pmdu之间的tc差异很小，降压侧的温差为⊿tc(d1)=1.7℃，升压侧的温差为⊿tc(d2)=1.2℃。尽管pmde封装的尺寸更小，但通过有效地向电路板散热，pmde封装可以将封装温度tc抑制在与pmdu封装同等的水平。
效率比较
从效率比较结果可以看出，pmde的效率峰值ηpeak（pmde）为88.6%，pmdu的ηpeak（pmdu）为88.7%，两者几乎相同。由于所用sbd的内部元件相同（各温度系数相同），因此可以推断元件温度tj也是同等的。也就是说，在此次的评估条件下，pmde封装虽然比以往的pmdu封装尺寸更小，但却达到了与pmdu同等的散热性能，热失控的风险也得以控制在同等水平。
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