什么是静电感应晶体管
什么是静电感应晶体管
静电感应晶体管
源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管,简称sit。静电感应晶体管是一种新型器件，可用于高保真度的音响设备、电源、电机控制、通信机、电视差转机以及雷达、导航和各种电子仪器中。
1952年日本的渡边、西泽等人提出模拟晶体管的模型，1971年9月日本西泽润一发表sit的研究结果。在70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本国内得到了迅速的发展，先后制出最高截止频率10兆赫、输出功率1千瓦和30兆赫、输出功率达2千瓦的静电感应晶体管。1974年之后，高频和微波功率静电感应晶体管有较大发展。已出现1吉赫下输出功率100瓦的内匹配合成器件和2吉赫下输出 10瓦左右的器件。静电感应型硅可控整流器已做到导通电流30安(压降为0.9伏)，开关时间为110纳秒。另外，已研制出 mos型sit和sit低功耗、高速集成电路，其逻辑门的功率-延迟积的理论值可达1×10-15焦以下。
sit具有非饱和型电流电压输出特性,它和三极电子管的输出特性相类似（图1）。
静电感应晶体管
sit是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后，势垒下降，源漏电流i开始流动。漏压越高,i越大,亦即 sit的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。sit和一般场效应晶体管(fet)在结构上的主要区别是：①sit沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3,fet则为1015～1017厘米-3；②sit具有短沟道，在输出特性上，前者为非饱和型三极管特性，后者为饱和型五极管特性。
静电感应晶体管
sit主要有三种结构形式:埋栅结构、表面电极结构和介质覆盖栅结构。埋栅结构是典型结构（图2），适用于低频大功率器件；表面电极结构适用于高频和微波功率sit;介质覆盖栅结构是中国研制成功的，这种结构既适用于低频大功率器件，也适用于高频和微波功率器件，其特点是工艺难度小、成品率高、成本低、适于大量生产。中国已研制出具有这种结构的 sit器件有：400兆赫，1～40瓦；1000兆赫,1～12瓦及1500兆赫，6瓦的sit器件。另外，还制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪声系数小于3分贝的功率低噪声sit。
和双极型晶体管相比,sit具有以下的优点：①线性好、噪声小。用sit制成的功率放大器,在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。②输入阻抗高、输出阻抗低，可直接构成otl电路。③sit是一种无基区晶体管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。④它是一种多子器件，在大电流下具有负温度系数，器件本身有温度自平衡作用，抗烧毁能力强。⑤无二次击穿效应，可靠性高。⑥低温性能好，在-196下工作正常。⑦抗辐照能力比双极晶体管高50倍以上。
DCS控制系统常见故障分析与处理
小米痛失中国电视销量第一：就差了一点点
改革开放四十年，感受信息通信业巨变
百度推智能数据服务平台EasyData，具有高级智能数据清洗功能
Apple最新发布iOS 15.0.2
什么是静电感应晶体管
工业通讯RS232如何转RS485通讯接头
PLC梯形图编程的常见技巧和注意事项
泰克TBS1152B数字示波器的特点及应用优势
为什么频谱分析仪不能观测静电放电等瞬态干扰？
苹果 WWDC发布会最全预测！iOS11和iPhone8？
张忠谋表示台湾市场太小所以无法孵育出一家台资独角兽 国内市场才会成功
设法在Apple SoC上运行了基于Linux的系统
华为有望推出完全自主国产内核浏览器
大普通信荣膺2022中国电子学会科学技术奖
天津药物研究院有限公司国家实验室及科研成果产业化基地项目能耗监测系统
达尔优A900虎擎版鼠标：这只“老虎”有点猛
乐视网股票还有希望吗？乐视网上半年亏损11亿分析乐视三大风险
空调扇制冷效果怎么样
博通通过集成网关的解决方案设计和平台将小型基站引入新兴市场
静电感应晶体管
源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管,简称sit。静电感应晶体管是一种新型器件，可用于高保真度的音响设备、电源、电机控制、通信机、电视差转机以及雷达、导航和各种电子仪器中。
1952年日本的渡边、西泽等人提出模拟晶体管的模型，1971年9月日本西泽润一发表sit的研究结果。在70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本国内得到了迅速的发展，先后制出最高截止频率10兆赫、输出功率1千瓦和30兆赫、输出功率达2千瓦的静电感应晶体管。1974年之后，高频和微波功率静电感应晶体管有较大发展。已出现1吉赫下输出功率100瓦的内匹配合成器件和2吉赫下输出 10瓦左右的器件。静电感应型硅可控整流器已做到导通电流30安(压降为0.9伏)，开关时间为110纳秒。另外，已研制出 mos型sit和sit低功耗、高速集成电路，其逻辑门的功率-延迟积的理论值可达1×10-15焦以下。
sit具有非饱和型电流电压输出特性,它和三极电子管的输出特性相类似（图1）。
静电感应晶体管
sit是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后，势垒下降，源漏电流i开始流动。漏压越高,i越大,亦即 sit的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。sit和一般场效应晶体管(fet)在结构上的主要区别是：①sit沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3,fet则为1015～1017厘米-3；②sit具有短沟道，在输出特性上，前者为非饱和型三极管特性，后者为饱和型五极管特性。
静电感应晶体管
sit主要有三种结构形式:埋栅结构、表面电极结构和介质覆盖栅结构。埋栅结构是典型结构（图2），适用于低频大功率器件；表面电极结构适用于高频和微波功率sit;介质覆盖栅结构是中国研制成功的，这种结构既适用于低频大功率器件，也适用于高频和微波功率器件，其特点是工艺难度小、成品率高、成本低、适于大量生产。中国已研制出具有这种结构的 sit器件有：400兆赫，1～40瓦；1000兆赫,1～12瓦及1500兆赫，6瓦的sit器件。另外，还制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪声系数小于3分贝的功率低噪声sit。
和双极型晶体管相比,sit具有以下的优点：①线性好、噪声小。用sit制成的功率放大器,在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。②输入阻抗高、输出阻抗低，可直接构成otl电路。③sit是一种无基区晶体管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。④它是一种多子器件，在大电流下具有负温度系数，器件本身有温度自平衡作用，抗烧毁能力强。⑤无二次击穿效应，可靠性高。⑥低温性能好，在-196下工作正常。⑦抗辐照能力比双极晶体管高50倍以上。
DCS控制系统常见故障分析与处理
小米痛失中国电视销量第一：就差了一点点
改革开放四十年，感受信息通信业巨变
百度推智能数据服务平台EasyData，具有高级智能数据清洗功能
Apple最新发布iOS 15.0.2
什么是静电感应晶体管
工业通讯RS232如何转RS485通讯接头
PLC梯形图编程的常见技巧和注意事项
泰克TBS1152B数字示波器的特点及应用优势
为什么频谱分析仪不能观测静电放电等瞬态干扰？
苹果 WWDC发布会最全预测！iOS11和iPhone8？
张忠谋表示台湾市场太小所以无法孵育出一家台资独角兽 国内市场才会成功
设法在Apple SoC上运行了基于Linux的系统
华为有望推出完全自主国产内核浏览器
大普通信荣膺2022中国电子学会科学技术奖
天津药物研究院有限公司国家实验室及科研成果产业化基地项目能耗监测系统
达尔优A900虎擎版鼠标：这只“老虎”有点猛
乐视网股票还有希望吗？乐视网上半年亏损11亿分析乐视三大风险
空调扇制冷效果怎么样
博通通过集成网关的解决方案设计和平台将小型基站引入新兴市场