Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET

率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm micro foot®封装尺寸,可用于移动计算,在4.5v下导通电阻低至8.0mω
宾夕法尼亚、malvern — 2013 年 12 月5 日 — 日前,vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号:vsh)宣布,推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm csp micro foot®封装尺寸的-20v器件---si8851edb,扩展其trenchfet® p沟道gen iii功率mosfet。vishay siliconix si8851edb是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的,在-4.5v和-2.5v栅极驱动下分别具有8.0mω和11.0mω的极低导通电阻。
si8851edb把p沟道gen iii技术与micro foot的无封装csp技术,以及30pin设计和引脚布局结合在一起,在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比,si8851edb的高度薄50%,在4.5v栅极驱动下的导通电阻几乎只有一半,单位封装尺寸的导通电阻低37%。si8851edb的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的mosfet,外形尺寸小56%,单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。
今天推出的器件高度只有0.4mm,适和在平板电脑、智能手机和笔记本电脑的电源管理应用中用作负载和电池开关。si8851edb的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降,从而更有效地使用电能并延长电池使用寿命,同时其小占位可节省宝贵的pcb空间。si8851edb的典型esd保护达到6kv,有助于保护手持设备避免因静电放电而损坏,同时保证在生产过程能对零组件进行安全的加工处理。mosfet符合jedec js709a的无卤素规定,符合rohs指令2011/65/eu。
si8851edb是vishay的micro foot家族的最新成员,可以在http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/ 找到相关信息。有关该公司p沟道gen iii mosfet的更多信息,请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
si8851edb现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十六周。
vishay简介
vishay intertechnology, inc. 是在纽约证券交易所上市(vsh)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。有关vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。

今年华南首场智能家电行业会议正式启动!
DC电源模块过热保护的原理
VIVE Sync预览版亮相 VR远程办公方便快捷
EMI电磁屏蔽膜结构 emi电磁屏蔽膜原理
一种基于仿生复眼的高密度阵列曲面三维触觉传感器
Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
自动喂食器DIY图解
华为路由Q2Pro体验 可以说是大户型的最佳帮手
现场直击丨西井科技携Q-Truck亮相碳博会,展示全球化进程中减碳“新实力”
Keysight安捷伦N8957A直流电源30A
汽车碰撞传感器原理剖析
700mA直流电机H桥驱动芯片AiP6152H简介
中国电信将与烽火在5G家庭应用领域展开深度合作
示波器的时基是什么?
一文读懂智能家居中的温湿度传感器,后续技术发展趋势如何?
台积电第三季度营收超出此前预期 第四季度营收展望进一步提升
GPS重要性能指标分析
射频低噪声放大器的应用领域
行情 | 8月4日早间数字货币行情播报
防范化解灾害风险,科技筑牢安全城墙