存储器的分类及其区别

存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两类,前者在掉电后会失去记忆的数据,后者即使在切断电源也可以保持数据。易失性存储器又可分为 dram(dynamic ram)和sram(static ram)。而rom则是非易失性存储器, rom可分为eeprom(electrically erasable programmable rom)、flash memory等。
ram: 即random access memory随机存储内存。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。sram静态存储器(static random access memory,sram)利用双稳态触发器来保存信息的,dram动态存储器(dynamic random access memory)利用mos电容存储电荷来储存信息,因此必须通过不停的给电容充电来维持信息,所以dram 的成本、集成度、功耗等明显优于sram。我们常说手机的运行内存指的就是ddr-dram.
sram: sram速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如cpu的一级cache,二级cache。 sram利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新,所以叫静态随机存储器。
ddr sdram; (double data rate synchronous dynamic random-access memory):双倍速率同步动态随机存储器,dram利用mos管的栅电容上的电荷来存储信息,一旦掉电信息会全部的丢失,由于栅极会漏电,所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷,并且每读出一次数据之后也需要补充电荷,这个就叫动态刷新,所以称其为动态随机存储器。现在使用较多的是ddr3,ddr4,lpddr4,ddr5,lpddr5等。
rom: (read-only memory)即只读内存,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
eeprom:最典型的电可改写非挥发性存储器,它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。flash memory和eeprom都是电可擦写可编程的存储器,eeprom在很多stm32单片机中得到使用,一般是128kb,16kb这种容量比较小,一般用来保存用户数据(在运行中可改变的数据)
flash(nand flash ,nor flash) : 它结合了rom和ram的长处,不仅具备电子可擦出可编程(eeprom)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(nvram的优势), 用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(u盘).
目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。一般小容量的用nor flash(常见为16m,64m,128m等等),因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息。而大容量的用nand flash(常见为4gb,8gb等等)常用来存放数据。目前市面上的flash 主要来自intel,amd,fujitsu和toshiba,而生产nand flash的主要厂家有samsung和toshiba。
nor flash&nand flash: nor flash占据了容量小的闪存市场,而nand flash只是用在gb等大容量产品当中,这也说明nor主要应用在代码存储介质中,nand适合于数据存储。
以下是nor/nand flash的区别:
对于用户来说,eeprom和flash 的最主要的区别如下:
总的来说,对与用户来说,eeprom和flash没有大的区别,只是eeprom是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较flash要好一些,但flash设计工艺以及在原理使用上教复杂。
emmc: (embedded multi media card)即嵌入式多媒体卡。emmc相当于nand flash+flash controller.emmc容量8gb,16gb比较多,容量比较大,在嵌入式硬件设计和现在的手机中使用较多。和我们日常生产生活中使用的tf/sd卡比较类似。
一个典型的系统配置是:采用ddr3的内存,配置若干容量的nor flash用于存储bootloader,一定容量的nand flash用于存储内核、文件系统等大容量数据。具体容量和使用场合、成本控制相关,若不记成本全用nor flash做存储也没关系。

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