一起来了解一下MOSFET的热阻
接下来接着看12n50数据手册。
上面这个参数是mosfet的热阻，rbjc 表示mos管结温到表面的热阻，这里我们知道rbjc=0.75。热阻的计算公式：，其中，tj表示mosfet的结温，最大能承受150℃
tc表示mosfet的表面温度。
通过上面公式可以计算一下，表面温度在25℃的情况下，管子能承受的功率：，p=166w。
数据手册上给到的数据来看，当tc=25℃时，mosfet的功率可以达到165w，是符合刚才的计算的，这里的误差是正常的，厂家在数据手册上写的数据也是通过这个计算出来的。
我们要知道，热阻越大，结温和表面顶部温度的温差就越大，也就是说，热阻越大里面的温度散热没有那么快。这里指的是没有加散热片的热阻，如果实际板子上加了散热片，热阻也会变小。
一般数据手册给到的电气参数都是在环境温度25℃条件下测试的。
bvdss：漏源之间的雪崩电压。测试条件：vgs=0v，id=250ua。给ds端不断加电压，此时id漏电流会增大，当id达到250ua时，此时的ds电压即为雪崩击穿电压。这里的雪崩击穿电压最小值是500v.
vgs(th)：阈值电压。测试条件：vds=vgs，id=250ua。不断提高vgs电压同时也提高vds电压，此时看id电流的变化，如果id达到250ua时，此时的vgs电压就是mosfet的阈值开启电压了。最小值是3v，最大值是5v。离散性太大，可以不用太关心这个数据。
idss：漏极漏电流。测试条件：vds =500v，vgs=0v。泄露电流随温度增加而增大，漏电流也会造成功耗，p=idss*vds，一般忽略不记。
igss：栅极漏电流。测试条件：vgs=±30v，vds=0v。
rds(on)：导通电阻。测试条件：vgs=10v，id=5.75a。通常id都是最大电流的一半，测到的ds之间的导通电阻。
gfs：正向跨导。测试条件：vds=30v，id=5.75a。数字越大，频率响应越高。
qg：总栅极充电电荷量。这个大小直接决定了开关速度。如果让管子开通，栅极电压肯定上升，电压的上升需要qg这么大的电荷量。电荷量越大，表示开通的时间就越长。这个数据越大，表示mosfet内部并联的就多。那么，对于高压的管子来说，qg肯定就小；低压的管子，qg肯定就大。同时，qg越大，rdson肯定就越小；qg越小，rdson越大。
ciss：输入电容，cgs+cgd。影响mosfet的开关时间，数据越大，开关越慢，开关损耗就越大，但是emi特性就越好，反之亦然。
crss：反向传输电容（也叫米勒电容），cgd。影响的是，当漏极有异常高的电压时，通过cgd传输到mosfet的栅极能量的大小。比如在做雷击测试时，会有一定的影响。对关断稍微有影响。
coss：输出电容，cgd+cds。对关断稍微有影响。
td(on)：开通延时时间。是漏极到源极开通延时的时间。
tr：上升时间。是漏源电流的上升时间。
实际上，上面这些参数都是与时间相互关联的参数，那么开关速度越快，对应的有点是开关损耗小，效率高，温升低。对应的缺点是emi特性不好，mosfet的关断尖峰过高，这是由于mosfet关断瞬间的体二极管有反向恢复时间。
is：漏源最大电流。在选型时，需要注意实际工作温度对它的影响。
vsd：源极到漏极的正向导通压降。这个电压越高，表示体二极管的续流损耗就越大。
trr：体二极管反向恢复时间。
qrr：体二极管反向恢复充电电量。与充电时间成正比的，越小越好。
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通过上面公式可以计算一下，表面温度在25℃的情况下，管子能承受的功率：，p=166w。
数据手册上给到的数据来看，当tc=25℃时，mosfet的功率可以达到165w，是符合刚才的计算的，这里的误差是正常的，厂家在数据手册上写的数据也是通过这个计算出来的。
我们要知道，热阻越大，结温和表面顶部温度的温差就越大，也就是说，热阻越大里面的温度散热没有那么快。这里指的是没有加散热片的热阻，如果实际板子上加了散热片，热阻也会变小。
一般数据手册给到的电气参数都是在环境温度25℃条件下测试的。
bvdss：漏源之间的雪崩电压。测试条件：vgs=0v，id=250ua。给ds端不断加电压，此时id漏电流会增大，当id达到250ua时，此时的ds电压即为雪崩击穿电压。这里的雪崩击穿电压最小值是500v.
vgs(th)：阈值电压。测试条件：vds=vgs，id=250ua。不断提高vgs电压同时也提高vds电压，此时看id电流的变化，如果id达到250ua时，此时的vgs电压就是mosfet的阈值开启电压了。最小值是3v，最大值是5v。离散性太大，可以不用太关心这个数据。
idss：漏极漏电流。测试条件：vds =500v，vgs=0v。泄露电流随温度增加而增大，漏电流也会造成功耗，p=idss*vds，一般忽略不记。
igss：栅极漏电流。测试条件：vgs=±30v，vds=0v。
rds(on)：导通电阻。测试条件：vgs=10v，id=5.75a。通常id都是最大电流的一半，测到的ds之间的导通电阻。
gfs：正向跨导。测试条件：vds=30v，id=5.75a。数字越大，频率响应越高。
qg：总栅极充电电荷量。这个大小直接决定了开关速度。如果让管子开通，栅极电压肯定上升，电压的上升需要qg这么大的电荷量。电荷量越大，表示开通的时间就越长。这个数据越大，表示mosfet内部并联的就多。那么，对于高压的管子来说，qg肯定就小；低压的管子，qg肯定就大。同时，qg越大，rdson肯定就越小；qg越小，rdson越大。
ciss：输入电容，cgs+cgd。影响mosfet的开关时间，数据越大，开关越慢，开关损耗就越大，但是emi特性就越好，反之亦然。
crss：反向传输电容（也叫米勒电容），cgd。影响的是，当漏极有异常高的电压时，通过cgd传输到mosfet的栅极能量的大小。比如在做雷击测试时，会有一定的影响。对关断稍微有影响。
coss：输出电容，cgd+cds。对关断稍微有影响。
td(on)：开通延时时间。是漏极到源极开通延时的时间。
tr：上升时间。是漏源电流的上升时间。
实际上，上面这些参数都是与时间相互关联的参数，那么开关速度越快，对应的有点是开关损耗小，效率高，温升低。对应的缺点是emi特性不好，mosfet的关断尖峰过高，这是由于mosfet关断瞬间的体二极管有反向恢复时间。
is：漏源最大电流。在选型时，需要注意实际工作温度对它的影响。
vsd：源极到漏极的正向导通压降。这个电压越高，表示体二极管的续流损耗就越大。
trr：体二极管反向恢复时间。
qrr：体二极管反向恢复充电电量。与充电时间成正比的，越小越好。
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