NPN晶体管EMH9T2R 100mA 50V的规格信息
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列 - 预偏置 2 个 npn 预偏压式（双） 50v 100ma 250mhz 150mw，emh9t2r。
规格信息
晶体管类型：2 个 npn 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (ic)（最大值）：100ma
电压 - 集射极击穿（最大值）：50v
电阻器 - 基极 (r1)：10 千欧
电阻器 - 发射极 (r2)：47 千欧
不同 ic、vce 时 dc 电流增益 (hfe)（最小值）：68 @ 5ma，5v
不同 ib、ic 时 vce 饱和压降（最大值）：300mv @ 250µa，5ma
电流 - 集电极截止（最大值）：500na
频率 - 跃迁：250mhz
功率 - 最大值：150mw
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：sot-563，sot-666
供应商器件封装：emt6
批次：06+
特点
内置偏置电阻器。
两dtc114y芯片在一个封装中。
内置偏置电阻实现的配置没有连接外部的逆变器电路输入电阻。
偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许负偏置输入的。它们还具有的优点完全消除了寄生效应。
仅在开/关的条件需要被设置操作时，使电路设计容易。
无铅/符合rohs标准。
发布者：深圳市明佳达电子。
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