恒忆与英特尔在相变存储技术上取得里程碑式成果
恒忆与英特尔在相变存储技术上取得里程碑式成果
相变存储 (pcm) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (numonyx) 与英特尔 (intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 pcm 阵列的 64mb 测试芯片，对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言，这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。
上述发现是 numonyx 与 intel 长久以来共同进行的一项研究计划的成果，该计划的目的着重于研究多层式或堆栈式 pcm 单元阵列。双方的研究人员如今已能够演示垂直一体化的存储单元 —— pcms (相变存储及开关)。pcms 包含一个 pcm 组件，此组件与全新使用的双向阈值开关 (ots) 堆栈于真正的交叉点阵列中。这一能够堆栈 pcms 阵列的能力可实现更高存储容量的可扩展性，同时维持 pcm 的效能特性，而这对于传统的内存技术而言则是巨大的挑战。
numonyx 资深技术研究员 greg atwood 表示：“这些研究成果具有相当光明的前景，显示了未来 pcm 产品可达到的更高容量、可扩展式阵列及类 nand 使用模式等。由于传统的闪存技术面临某些实体限制和可靠性等问题，且存储产品在从手机到数据中心等应用中都有着日益增长的需求，这些成果更显得弥足珍贵。”
intel 研究员兼存储技术开发总监 al fazio 表示：“我们持续进行着内存技术的开发，希望借此提升计算平台的性能。我们对于这一里程碑式的研究成果感到相当振奋。pcms 等内存技术在未来对于扩大存储器在计算解决方案中的重要性、提升性能和可扩展性将有着相当重要的意义。”
存储单元是由堆栈存储组件及选择器所组成，并且具有多个组成存储阵列的单元。numonyx 与 intel 的研究人员已经能够部署薄膜双终端 ots 做为选择器，以符合 pcm 扩展所需的实体及电特性要求。凭借薄膜 pcms 的兼容性，如今已能够建立多层的交叉点存储阵列。一旦经过整合及嵌入真正的交叉点阵列后，多层阵列便可结合 cmos 电路的解码、感知及逻辑功能。
更多关于存储单元、交叉点阵列、实验及成果的信息将刊登于题为《堆栈式交叉点相变存储》的共同文件中，并将于 2009 年 12 月 9 日在美国马里兰州巴尔的摩举行的 2009 年国际电子器件会议 (internatinal electron devices meeting) 上发表。此文件由 numonyx 与 intel 双方的技术人员合著，届时将由 intel 资深首席工程师 derchang kau 发表。
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