芯片工艺制程的几个阶段

芯片的制程从最初的0.35微米到0.25微米,后来又到0.18微米、0.13微米、90nm、65nm、45nm、32nm和14nm。在提高芯片工艺制程的过程中,大约需要缩小十倍的几何尺寸及功耗,才能达到10nm甚至7nm。
在工艺分类上,芯片主要分两大类:
·hp(high performance):主打高性能应用范畴;
·lp(low power):主打低功耗应用范畴。
满足不同客户需求,hp 内部再细分 hpl、hpc、hpc+、hp 和 hpm 五种。
hp 和 lp 之间最重要区别就在性能和漏电率上,hp 在主打性能,漏电率能够控制在很低水平,芯片成本高;lp 则更适合中低端处理器使用,因为成本低。
所以,芯片除了在制程上寻求突破,工艺上也会逐步升级。
芯片制造的整个过程包括芯片设计、芯片制造、封装制造、测试等。芯片制造过程特别复杂。
芯片制造过程有这么几个阶段:材料制备——单晶硅制造→晶圆片生成芯片前端——芯片构建(wafer fabrication)芯片后端——封装(package)→完整测试(initial test and final test)
新智造,电子产品世界网络综合整理


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