ddr3的读写分离方法有哪些？
ddr3是目前ddr的主流产品，ddr3的读写分离作为ddr最基本也是最常用的部分，本文主要阐述ddr3读写分离的方法。最开始的ddr, 芯片采用的是tsop封装，管脚露在芯片两侧的，测试起来相当方便；但是，ddrii和iii就不一样了，它采用的是bga封装，所有焊点是藏在芯片的底部的，测试起来非常不便，一般需要提前预留测试点。在ddr读写burst分析之前，首先得把read burst和write burst分离出来，读写双向的数据全部都搁在dqs和dq上。那么，ddr的手册中，留下了那些线索供我们进行都写的分离呢？要实现ddr的快速的便捷的分离，在读写分离之前，我们必须得知道ddr读写信号之间的特征差异。首先，看看spec里面的定义：
方法一：preamble的差异在每次的burst之前，dqs会从高阻态切换到一段负脉冲，然后才开始正常的读写。这段负脉冲，我们叫做preamble（preamble实际上是在读写前，dqs提前通知dram芯片或者是controller的信号）。一般说来，读数据dqs的preamble宽度要大于写数据。对于ddr3,情况就更简单了。因为在ddr3中，读数据的preamble是负脉冲，写数据的preamble是正脉冲。
方法二：幅度上的差异一般在dram端进行测试，写数据从memory controller出来，经过了主板pcb板，内存插槽和内存条pcb板，到达dram颗粒的时候，信号已经被衰减了，而读数据刚刚从dram出来，还没有经过任何的衰减，因此读数据的幅度要大于写数据。如下图所示方法三：写数据是dqs和dq centre-align(中间对齐), 读数据dqs和dq是edge align(边沿对齐)，memory controller在接收到内存的读数据时，在controller内部把dqs和dq的相位错开90度，实现中间对齐来采样（这个过程示波器就看不到咯）；方法四：斜率的差异:读数据的斜率大于写数据。一般在dram端进行测试，写数据从memory controller出来，经过了主板pcb板，内存插槽和内存条pcb板，到达dram颗粒的时候，信号已经被衰减了，所以，斜率也小一些；而读数据刚刚从dram出来，还没有经过任何的衰减，因此读数据的斜率要大于写数据。也可以从下图得到区分。
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