为什么MOSFET栅极与源极之间要加一个电阻？
1，为mosfet提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压;
2，起到防esd静电的作用，避免处在一个高阻态。 这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻，避免mos管误动作，从而损坏mosfet的栅极g-源极s;
首先，第一个作用偏置电压作用应该好理解这里不做过多解释，主要来说下第二个作用的工作原理，它是怎样防esd保护mos管的g极和s极的。
图腾柱驱动电路
我们知道mos管的g-s间的阻抗是很大的，这样只要当g-s脚有少量的静电，有一点的电流流过，g-s极间的等效电容两端就会产生很高的电压，因为大阻抗再乘以电流就会有一个很大的电压，如果不快速地将这些esd静电泄放掉，在结电容cgs两端产生的高压就有可能使mos管产生误动作，甚至有可能把管子的g-s极击穿，所以在栅极(g) 与 源极(s) 之间加这个电阻，主要是把esd静电泄放掉，从而起到保护这个mos管的作用。
分析：这个电路是一个图腾柱的推挽电路，作用是加速mos管快速导通和关断。 我们知道mos管有一个米勒效应，为避免管子长时间停留在一个米勒平台上，所以我们要加速mos管的导通与关断时间，从而减少开关的损耗。 q3、q4是轮流导通的，mos管的g极在不断地充电和放电状态，如果这个时候突然关闭电源，mos管的栅极就可能有有两种情况发生：
图一
第一种情况是，断电时栅源极刚好在放电状态，结电容cgs没有电荷存储了，刚好电放完了;
另一是种情况是，断电时栅源极(vgs)刚好在充电状态，这时结电容cgs它是有电荷的，并且电是充满的，如上图一所示。 电源断开了，这时候q1、q2也都断开状态，都是没有电的。 这个时候vgs的电荷就没有释放的回路，这个电荷一直存在这里，并且能保持很长的一段时间，建立mos管导通条件并没有消失，相当于关机的时候vgs一直是有电压存在的。 这样再次开机瞬间，由于激励信号还没有建立，而开机瞬间mos管的漏极(d极)供电随机提供，在导电沟道的作用下，mos管立刻产生不受控的巨大漏极(d极)电流id，可能会引起mos管烧坏，这种情况不是我们想要的。
图二
所以，为了避免此现象的产生，所以在在mos管的gs之前并接一颗泄放的电阻r4，如上图二，关机后结电容cgs存储的电压通过这个电阻r4对gnd迅速释放。 一般这个电阻的阻值不可以取太大，太大了放电就比较慢，为为保证电荷的迅速释放，一般取5k至数10k左右。
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2，起到防esd静电的作用，避免处在一个高阻态。 这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻，避免mos管误动作，从而损坏mosfet的栅极g-源极s;
首先，第一个作用偏置电压作用应该好理解这里不做过多解释，主要来说下第二个作用的工作原理，它是怎样防esd保护mos管的g极和s极的。
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我们知道mos管的g-s间的阻抗是很大的，这样只要当g-s脚有少量的静电，有一点的电流流过，g-s极间的等效电容两端就会产生很高的电压，因为大阻抗再乘以电流就会有一个很大的电压，如果不快速地将这些esd静电泄放掉，在结电容cgs两端产生的高压就有可能使mos管产生误动作，甚至有可能把管子的g-s极击穿，所以在栅极(g) 与 源极(s) 之间加这个电阻，主要是把esd静电泄放掉，从而起到保护这个mos管的作用。
分析：这个电路是一个图腾柱的推挽电路，作用是加速mos管快速导通和关断。 我们知道mos管有一个米勒效应，为避免管子长时间停留在一个米勒平台上，所以我们要加速mos管的导通与关断时间，从而减少开关的损耗。 q3、q4是轮流导通的，mos管的g极在不断地充电和放电状态，如果这个时候突然关闭电源，mos管的栅极就可能有有两种情况发生：
图一
第一种情况是，断电时栅源极刚好在放电状态，结电容cgs没有电荷存储了，刚好电放完了;
另一是种情况是，断电时栅源极(vgs)刚好在充电状态，这时结电容cgs它是有电荷的，并且电是充满的，如上图一所示。 电源断开了，这时候q1、q2也都断开状态，都是没有电的。 这个时候vgs的电荷就没有释放的回路，这个电荷一直存在这里，并且能保持很长的一段时间，建立mos管导通条件并没有消失，相当于关机的时候vgs一直是有电压存在的。 这样再次开机瞬间，由于激励信号还没有建立，而开机瞬间mos管的漏极(d极)供电随机提供，在导电沟道的作用下，mos管立刻产生不受控的巨大漏极(d极)电流id，可能会引起mos管烧坏，这种情况不是我们想要的。
图二
所以，为了避免此现象的产生，所以在在mos管的gs之前并接一颗泄放的电阻r4，如上图二，关机后结电容cgs存储的电压通过这个电阻r4对gnd迅速释放。 一般这个电阻的阻值不可以取太大，太大了放电就比较慢，为为保证电荷的迅速释放，一般取5k至数10k左右。
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