前驱体市场仍将高速增长，六氟化钨或再度紧缺
techcet预测，ald/cvd薄膜沉积所需的前体材料市场，金属前体将增长7%，high-k前体将增长5%，介质前体将增长8%。
ald/cvd解决方案是增加的ald前体材料和cvd工艺的对新材料的关注和需求增加，因此受到了影响，零部件制造企业为了提高费用和性能的新制造正找解决方案，持续努力的前沿。”
公司方面认为，特别是钨的使用得益于垂直积累3d nand及所有市场的晶片投射量的增加。六氟化钨wf6的供需平衡将持续到2023年，但wf6的供应将被限制到2025年，2026年将面临短缺威胁。钼固体前体代替wf6，并从开发转为大量生产，可以缓解潜在的不足问题。但mo的应用可能性尚不确定，因为晶片因素要考虑与wf6相同或更高的费用和性能。
该研究所还为改善元件的技术变化其他核心领域是例如高κ栅极电介质、金属栅电极、沟道和沟道材料的应变/应力外延、存储单元和高κ电容器、互连布线、势垒、种子层、覆盖层、绝缘体和光刻。新课题是通过材料（如hf、zr、la、co、ru、mo）和ald、等离子体辅助方法（如ald、等离子体辅助方法）持续调整大小。
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