金升阳推出第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品
随着新能源行业的发展，igbt /sic mosfet作为充电桩设备、光伏svg系统中的关键半导体器件组成部分，市场对其应用条件和性能提出更高的要求，对于驱动方案的要求也随之提高。日前，金升阳推出了igbt/sic mosfet专用第三代驱动电源qa-r3/qa_c-r3系列产品，以及满足更加严苛的应用需求的驱动电源qa_h-r3/qa_hc-r3系列产品。
为打造更具有高性价比的驱动电源，金升阳基于自主ic设计平台升级开发出内部采用非对称式电压输出形式的qa_hd2-r3 / qa_hcd2-r3系列产品，以期为客户提供更优质的电源解决方案。
产品优势
5000vac高可靠隔离电压,满足加强绝缘
基于自主ic设计平台，此系列产品能提供两组隔离输出电压，输出1-输出2隔离电压高达3750vac，同时输入-输出隔离电压高达5000vac，远优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
满足1700vdc长期绝缘要求
（使用1700v及以下的igbt/sic mosfet）
qa_hd2-r3 / qa_hcd2-r3系列驱动电源基于iec-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（持续放电）满足1700v，且应用范围覆盖1700v及以下的igbt/sic mosfet器件，产品原副边电气间隙/爬电距离达22.36mm（typ.）。
性能更优
支持双组驱动，满足半桥式整流应用
低低纹&波噪声：50mvpp
强带载能力：2200uf
超小隔离电容：4.2pf
高效率：85%
高性价比
此系列是专门为igbt/sic mosfet驱动器而设计的dc-dc模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小igbt/sic mosfet的驱动损耗。且双组输出qa_hd2-r3 / qa_hcd2-r3系列的成本低于2个单组输出产品合价。
产品应用
作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt器件，实现系统的有效运行。
产品特点
隔离电压5000vac（加强绝缘）
局部放电 1700v
cmti>200kv/μs
最大容性负载2200μf
超小隔离电容4.2pf(typ.)
效率高达85%
工作温度范围: -40℃ to +105℃
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产品优势
5000vac高可靠隔离电压,满足加强绝缘
基于自主ic设计平台，此系列产品能提供两组隔离输出电压，输出1-输出2隔离电压高达3750vac，同时输入-输出隔离电压高达5000vac，远优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
满足1700vdc长期绝缘要求
（使用1700v及以下的igbt/sic mosfet）
qa_hd2-r3 / qa_hcd2-r3系列驱动电源基于iec-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（持续放电）满足1700v，且应用范围覆盖1700v及以下的igbt/sic mosfet器件，产品原副边电气间隙/爬电距离达22.36mm（typ.）。
性能更优
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低低纹&波噪声：50mvpp
强带载能力：2200uf
超小隔离电容：4.2pf
高效率：85%
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产品应用
作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt器件，实现系统的有效运行。
产品特点
隔离电压5000vac（加强绝缘）
局部放电 1700v
cmti>200kv/μs
最大容性负载2200μf
超小隔离电容4.2pf(typ.)
效率高达85%
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