基于DS2786电路的编程及测试
摘要：本文描述了如何对基于开路电压的电池监视器ds2786的电路进行正确测试。文中给出了测试步骤，依据该步骤可以确认电路安装是否正确。此外，文中还介绍了ds2786安装到电路后如何正确对其eeprom进行编程。
引言基于开路电压(ocv)的电量计ds2786在出厂时将默认的ocv特性和默认配置加载到eeprom中。为了提高ocv电量计的精度并使ds2786适应特定的应用场合，必要时需对ds2796的eeprom进行再编程。本文描述了如何对eeprom进行编程及如何对已经安装好的电路板进行测试。
板极测试下文给出了一个安装电池包之前测试基于ds2786 ocv电路板的例子。图1为电路板的电路原理图，用到了ds2786的所有功能。图中所有重要的测试点(共7个)都用带圈数字标出。测试流程假定电路中的所有分立元件已经过测试，因此，测试目的为确认线路连接，从而验证安装的电路板是否正确。
图1. 必须验证的电路节点
测试步骤1：测试初始化。该步骤的目的是确定电路板中是否存在直接短路，是否能进行通信。器件成功通信后可以读取电压寄存器读数，以验证sda和scl连接(节点1)、pack+和vdd引脚之间的连接(节点2)，以及pack-和vss引脚(节点3)之间的连接是否正确。此外，通过读取电压寄存器并确认测试是否有效，可以验证vin引脚(节点4)连接是否正确。
pack+与pack-间接4.0v电源。
等待880ms。 等待电压转换。
读电压寄存器： 2字节。
若未发生通信表明电路安装失败。
若电压读数不正确表明电路安装失败。
测试步骤2：验证sns (节点5)。通过有效的电流测试可验证sns引脚连接是否正确。
pack+与pack-间接4.0v电源。
pack-与系统vss间电流为1.0a。
等待880ms。 等待电流转换
读电流寄存器： 2字节。
若电流读数不准确表明电路安装失败。
测试步骤3：验证辅助输入ain0和ain1连接(节点6)。通过有效的电阻测量可验证ain0和ain1引脚连接是否正确。这一步是可选的。
在pack id端与pack-间接10kω电阻。
在therm端与pack-间接10kω电阻。
pack+与pack-间接4.0v电源。
等待880ms。 等待辅助输入转换。
读ain0和ain1： 4字节。
若ain0/ain1读数不准确表明电路安装失败。
测试步骤4：验证vprog并对eeprom编程(节点8)。需要提供一个测试点用于连接编程电压至vprog引脚，以对ds2786的eeprom进行编程。通过写eeprom和复制eeprom可以验证该连接是否正确，并验证eeprom是否已更新。eeprom中包括了电流失调偏置寄存器(cobr)，因此在编程eeprom之前校准cobr是有益的。
pack+与pack-间接4.0v电源。
校准cobr。 若希望进行cobr校准，可以参看下文的详细说明。
写参数eeprom区： 32字节。
将参数复制到eeprom。
等待14ms。 等待复制eeprom。
向参数eeprom区写0xffh： 31字节(非存储器地址0x7dh)*。
从eeprom中调用参数。
读参数eeprom区： 32字节。
如果从eeprom中读取到的32个字节都无法与原先写入的32字节相匹配，说明电路安装失败。
*不要向存储器地址7dh写入0xffh，否则从地址将变化并且器件将停止响应当前从地址。
电流失调偏置寄存器的校准通过电流失调偏置寄存器，可在+3.175mv至-3.2mv间调节ds2786电流测量结果，步长为25µv。cobr的出厂默认值为0x00h。以下例子列出了校准ds2786电流失调偏置寄存器的步骤： 给ds2786加电，确保检测电阻中无电流。 向cobr中写0x00h (存储器地址0x60h)。 等待880ms，直至下一个转换周期到来。 读电流寄存器。 根据实际需要，多次重复步骤3和步骤4，直至获得平均电流读数。 将平均电流读数的相应值写入cobr。 将cobr值复制到eeprom (该步骤应与将所有值复制到eeprom结合起来共同进行)。 总结要对组装好的基于ocv电量计ds2786进行正确验证，需要测试电路中的每一个焊点。测试步骤1、2和3可以合为一个步骤以缩短测试时间，尤其是可以缩短转换延迟时间。
此外，测试期间对eeprom编程可以提供更有效的测试流程，同时可以提供足够的时间施加保存参数(包括电流失调偏置)至eeprom所需的编程电压。
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图1. 必须验证的电路节点
测试步骤1：测试初始化。该步骤的目的是确定电路板中是否存在直接短路，是否能进行通信。器件成功通信后可以读取电压寄存器读数，以验证sda和scl连接(节点1)、pack+和vdd引脚之间的连接(节点2)，以及pack-和vss引脚(节点3)之间的连接是否正确。此外，通过读取电压寄存器并确认测试是否有效，可以验证vin引脚(节点4)连接是否正确。
pack+与pack-间接4.0v电源。
等待880ms。 等待电压转换。
读电压寄存器： 2字节。
若未发生通信表明电路安装失败。
若电压读数不正确表明电路安装失败。
测试步骤2：验证sns (节点5)。通过有效的电流测试可验证sns引脚连接是否正确。
pack+与pack-间接4.0v电源。
pack-与系统vss间电流为1.0a。
等待880ms。 等待电流转换
读电流寄存器： 2字节。
若电流读数不准确表明电路安装失败。
测试步骤3：验证辅助输入ain0和ain1连接(节点6)。通过有效的电阻测量可验证ain0和ain1引脚连接是否正确。这一步是可选的。
在pack id端与pack-间接10kω电阻。
在therm端与pack-间接10kω电阻。
pack+与pack-间接4.0v电源。
等待880ms。 等待辅助输入转换。
读ain0和ain1： 4字节。
若ain0/ain1读数不准确表明电路安装失败。
测试步骤4：验证vprog并对eeprom编程(节点8)。需要提供一个测试点用于连接编程电压至vprog引脚，以对ds2786的eeprom进行编程。通过写eeprom和复制eeprom可以验证该连接是否正确，并验证eeprom是否已更新。eeprom中包括了电流失调偏置寄存器(cobr)，因此在编程eeprom之前校准cobr是有益的。
pack+与pack-间接4.0v电源。
校准cobr。 若希望进行cobr校准，可以参看下文的详细说明。
写参数eeprom区： 32字节。
将参数复制到eeprom。
等待14ms。 等待复制eeprom。
向参数eeprom区写0xffh： 31字节(非存储器地址0x7dh)*。
从eeprom中调用参数。
读参数eeprom区： 32字节。
如果从eeprom中读取到的32个字节都无法与原先写入的32字节相匹配，说明电路安装失败。
*不要向存储器地址7dh写入0xffh，否则从地址将变化并且器件将停止响应当前从地址。
电流失调偏置寄存器的校准通过电流失调偏置寄存器，可在+3.175mv至-3.2mv间调节ds2786电流测量结果，步长为25µv。cobr的出厂默认值为0x00h。以下例子列出了校准ds2786电流失调偏置寄存器的步骤： 给ds2786加电，确保检测电阻中无电流。 向cobr中写0x00h (存储器地址0x60h)。 等待880ms，直至下一个转换周期到来。 读电流寄存器。 根据实际需要，多次重复步骤3和步骤4，直至获得平均电流读数。 将平均电流读数的相应值写入cobr。 将cobr值复制到eeprom (该步骤应与将所有值复制到eeprom结合起来共同进行)。 总结要对组装好的基于ocv电量计ds2786进行正确验证，需要测试电路中的每一个焊点。测试步骤1、2和3可以合为一个步骤以缩短测试时间，尤其是可以缩短转换延迟时间。
此外，测试期间对eeprom编程可以提供更有效的测试流程，同时可以提供足够的时间施加保存参数(包括电流失调偏置)至eeprom所需的编程电压。
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