得一微电子首发3DNAND 打开全球化新局面
2018年8月7日，全球重要的闪存控制器供应商深圳市得一微电子有限责任公司（以下简称“得一微电子”）携多款最新产品参展全球顶级闪存峰会2018 flash memory summit(简称“fms”)，并发表重要演讲，向全球闪存界分享最新的3d nand flash研究成果，获得高度认可。
fms是目前存储业内最为国际性顶级闪存峰会，来自全球的闪存界优秀企业汇聚于此，合作交流。今年fms在位于美国硅谷加州圣克拉拉会议中心举办，得一微电子向全球客户展示全套闪存控制器解决方案，从usb3.1、sd、emmc 到sata ssd、pcie nvme ssd，产品线齐全，并全线支持3d nand flash，得一微电子是唯一能提供一站式解决方案的中国大陆厂商。
得一微电子市场总监罗挺介绍公司产品的最新进展，他说，sata3.2 ssd控制器ys9083xt 已经获得规模应用，得到众多客户的认可，此外pcie gen3x2 ys9201正在design in, 处于客户送样中。
在此次峰会上，得一微电子还发布了新款高iops emmc 控制器ys8293en,闪存支持ddr533,带宽提高30%，sram扩大，提高随机读写速度，进一步扩大公司在嵌入式存储领域的影响力。
罗挺认为，中国存储控制器厂商参与国际交流甚至竞争，让世界了解中国闪存主控的真正实力，得一微电子有信心肩负中国闪存控制器崛起的重任。
在同期举办的闪存论坛上，得一微电子闪存特性分析部门经理叶敏展示最新研究成果“a graphical journey into 3d nand program operations”。他对3d nand 的tlc以及qlc操作特性进行了直观的演示，对比了flash的one shot编程与2-pass编程的物理过程，通过先进高效的研究手段，充分理解各家主流3d供应商的特征，通过基础研究，提升闪存应用的可靠性。这项研究也令得一微电子更深入地了解闪存，有利于闪存控制器的先进技术研发。
这项研究不仅针对目前主要的闪存供应商的3d nand，也适用于长江存储即将量产的3d nand产品，可谓覆盖全面，分析详尽。
日前，长江存储正式公布了在3d nand构架上的最新技术xtacking。据长江存储表示，采用xtacking技术的存储芯片，i/o速度有望达到了3gbps，和ddr4内存相当，而目前日韩厂商同类产品的速度为1gbps左右。
针对这一闪存技术以及将应用于对应的产品并有望明年实现量产，罗挺认为这就要求闪存控制器厂商对闪存特性进行深入分析，确立对应的主控方案，而得一微电子对3d nand的特性分析研究成果将有助于开发更适合的控制器。他透露，接下来得一微电子规划的产品将会定位更高，匹配长江存储的高性能i/o接口。
得一微电子此次参加fms，携全产品线进行全球首秀，必将得到更多朋友们的关注，为得一微电子的全球化打开新局面。
接下来，得一微电子还将参加8月16日在哈尔滨举行的第十届中国测试学术会议的存储可靠性技术论坛，并由市场总监罗挺带来“提高闪存介质可靠性的工程”的技术演讲。
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这项研究不仅针对目前主要的闪存供应商的3d nand，也适用于长江存储即将量产的3d nand产品，可谓覆盖全面，分析详尽。
日前，长江存储正式公布了在3d nand构架上的最新技术xtacking。据长江存储表示，采用xtacking技术的存储芯片，i/o速度有望达到了3gbps，和ddr4内存相当，而目前日韩厂商同类产品的速度为1gbps左右。
针对这一闪存技术以及将应用于对应的产品并有望明年实现量产，罗挺认为这就要求闪存控制器厂商对闪存特性进行深入分析，确立对应的主控方案，而得一微电子对3d nand的特性分析研究成果将有助于开发更适合的控制器。他透露，接下来得一微电子规划的产品将会定位更高，匹配长江存储的高性能i/o接口。
得一微电子此次参加fms，携全产品线进行全球首秀，必将得到更多朋友们的关注，为得一微电子的全球化打开新局面。
接下来，得一微电子还将参加8月16日在哈尔滨举行的第十届中国测试学术会议的存储可靠性技术论坛，并由市场总监罗挺带来“提高闪存介质可靠性的工程”的技术演讲。
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