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干法刻蚀原理
干法刻蚀原理
刻蚀作用:去除边缘pn结,防止上下短路。
干法刻蚀原理:利用高频辉光放电反应,使cf4气体激活成活性粒子,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与硅材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。
干法刻蚀化学方程式:
去磷硅玻璃作用:去除硅片表面因扩散形成的磷硅玻璃层,并清洁表面,为pecvd做准备。
去磷硅玻璃原理:利用hf与sio2反应,去除磷硅玻璃层。
去磷硅玻璃化学方程式:
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