国产第二代碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
目前，传统的直流充电桩拓扑电路，一般是三相交流380v输入电压经过pfc维也纳ac/dc电路后，得到直流母线电压，然后经过两路全桥llc dc/dc电路，输出200v到1000v高压给新能源汽车充电使用。其中pfc维也纳电路ac/dc的开关频率40khz左右，一般使用650v的超结mosfet或者650v的igbt，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率高。
新一代直流充电桩拓扑电路会把原来的pfc维也纳整流升级为采用第二代sic碳化硅mosfet b2m040120z的三相全桥pfc整流。这样将大大减少功率器件数量，简化控制电路的复杂性，同时通过提高开关频率来降低电感的感量，尺寸和成本。dc/dc全桥llc部分，升级为采用第二代sic碳化硅mosfet b2m040120z的dc/dc电路，可以从原来的三电平优化为两电平llc。这样可以极大简化拓扑电路，减少元器件的数量，控制和驱动更加简单。
基于第二代sic碳化硅mosfet b2m040120z的高频特性，可以提高llc电路的开关频率，从而减少磁性器件的尺寸和成本。由于llc电路是软开关工作模式，损耗集中在开关管的导通损耗上，由于拓扑结构的原因，流过llc中sic碳化硅mosfet的电流有效值是si mosfet电流的一半，所以最终导通损耗大大减小。新一代采用sic碳化硅mosfet b2m040120z的直流充电桩拓扑电路可以提升0.3~0.5%左右的效率。
碳化硅mosfet具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅mosfet器件替代传统硅igbt器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅mosfet系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有to-247-3、to-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的to-247-4-plus、to-263-7及sot-227封装的碳化硅mosfet器件，以更好地满足客户需求。
基本半导体第二代碳化硅mosfet亮点：
更低比导通电阻：第二代碳化硅mosfet通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅mosfet器件qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅mosfet通过更高标准的htgb、htrb和h3trb可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅mosfet工作结温达到175°c，提高器件高温工作能力。
国产基本半导体b2m040120z替代型号：
英飞凌imza120r040m1h
安森美nth4l040n120m3s、c3m0040120k
意法半导体sct040w120g3-4ag
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
D7242P场扫描电路的应用电路图
一路走来 | 匠心就是把普遍的开关也要做到精细
鉴源实验室 | Web应用程序常见漏洞浅析
电蜂高压连接线加工工厂插针端子怎么用
荣耀v9的登场，华为mate9只有退位让贤！
国产第二代碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
三相电的原理
LED驱动采用恒压电源，还是恒流电源供电？
智能制造、军民融合领跑2016中国（成都）电子展
文学创作可以使用AI吗
机器学习算法的技巧分享
浅谈端子连接器的结构组成部件
受物联网、汽车电子行业的影响，8英寸晶圆产能呈载满状态产能吃紧
IPT015N10N5场效应管在四轮观光车电机控制中的应用
Python模块有哪些注意事项
日本神户钢铁造假显示出日本制造业也“失去的20年”
从功能到智能，汽车主动安全技术是未来发展重点
华为发布手表新专利，手背也能变成触控屏
美中贸易协定正式生效 科技公司将受到影响？
士兰微：主要产品满产、消费类产品承压，国内8吋IGBT衬底产量不够分
新一代直流充电桩拓扑电路会把原来的pfc维也纳整流升级为采用第二代sic碳化硅mosfet b2m040120z的三相全桥pfc整流。这样将大大减少功率器件数量，简化控制电路的复杂性，同时通过提高开关频率来降低电感的感量，尺寸和成本。dc/dc全桥llc部分，升级为采用第二代sic碳化硅mosfet b2m040120z的dc/dc电路，可以从原来的三电平优化为两电平llc。这样可以极大简化拓扑电路，减少元器件的数量，控制和驱动更加简单。
基于第二代sic碳化硅mosfet b2m040120z的高频特性，可以提高llc电路的开关频率，从而减少磁性器件的尺寸和成本。由于llc电路是软开关工作模式，损耗集中在开关管的导通损耗上，由于拓扑结构的原因，流过llc中sic碳化硅mosfet的电流有效值是si mosfet电流的一半，所以最终导通损耗大大减小。新一代采用sic碳化硅mosfet b2m040120z的直流充电桩拓扑电路可以提升0.3~0.5%左右的效率。
碳化硅mosfet具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅mosfet器件替代传统硅igbt器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
基本半导体第二代碳化硅mosfet系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有to-247-3、to-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的to-247-4-plus、to-263-7及sot-227封装的碳化硅mosfet器件，以更好地满足客户需求。
基本半导体第二代碳化硅mosfet亮点：
更低比导通电阻：第二代碳化硅mosfet通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅mosfet器件qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅mosfet通过更高标准的htgb、htrb和h3trb可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅mosfet工作结温达到175°c，提高器件高温工作能力。
国产基本半导体b2m040120z替代型号：
英飞凌imza120r040m1h
安森美nth4l040n120m3s、c3m0040120k
意法半导体sct040w120g3-4ag
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
D7242P场扫描电路的应用电路图
一路走来 | 匠心就是把普遍的开关也要做到精细
鉴源实验室 | Web应用程序常见漏洞浅析
电蜂高压连接线加工工厂插针端子怎么用
荣耀v9的登场，华为mate9只有退位让贤！
国产第二代碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
三相电的原理
LED驱动采用恒压电源，还是恒流电源供电？
智能制造、军民融合领跑2016中国（成都）电子展
文学创作可以使用AI吗
机器学习算法的技巧分享
浅谈端子连接器的结构组成部件
受物联网、汽车电子行业的影响，8英寸晶圆产能呈载满状态产能吃紧
IPT015N10N5场效应管在四轮观光车电机控制中的应用
Python模块有哪些注意事项
日本神户钢铁造假显示出日本制造业也“失去的20年”
从功能到智能，汽车主动安全技术是未来发展重点
华为发布手表新专利，手背也能变成触控屏
美中贸易协定正式生效 科技公司将受到影响？
士兰微：主要产品满产、消费类产品承压，国内8吋IGBT衬底产量不够分